DRAMeXchange ： DRAM 廠商仍在加速進入 12 吋廠

根據 DRAMeXchange 推算，從 2003 年第一季開始， 12 吋 DRAM 晶圓廠推出的產量就開始急速上升．如圖一， 2004 年第一季比 2003 年第一季的產量成長了 163% ， 2004 第二、三甚至四季都將成長 168% 、 97% 與 92% ．

圖 一　 12 吋 DRAM 廠之產量

Source: DRAMeXchange ， 2004 年 10 月 256Mb DDR 出貨統計 1Q2004 2Q2004 3Q2004(e) 4Q2004(e) Samsung 260 302 341 373 Micron 206 198 218 245 Infineon 179 183 220 241 Hynix 177 184 197 210 Elpida 57 75 93 110 Nanya 59 63 72 85 前6大廠合計 938 1005 1141 1264 單位: 千片 Source: 美林證券 2004/09

DRAM市場經歷了二○○一年的流血殺戮後，DRAM價格大崩盤，當時主流產品128Mb DRAM現貨價一度跌至○．八美元歷史低點，廠商虧損情況十分嚴重，所以才會在二○○二 年初疑似有聯合拉抬價格之嫌，美國司法部針對三星、Hynix、美光、英飛凌等四大DRAM廠的聯合壟斷價格控訴，最近英飛凌認罪。

目前，DRAM產業是一個寡佔市場結構，美光在美國市場獨大，英飛凌佔據整個歐洲市場，日本市場由爾必達（Elpida）包辦，Hynix是大陸最大品牌，三星則在歐、美、日、亞太等市場各分一杯羹。前五大廠因共佔了全球DRAM市場八成市佔率，正因為各個地區DRAM市場中，均是一家獨大局面，所以已經呈現固守本土領域的競爭態勢，未來要再聯合壟斷價格不是件易事。

DRAM業者認為，至少到2005年底前，全球DRAM大廠仍將採用0.11或0.10微米製程為主流量產製程，估計到2005年第四季時，全球最多僅有20％產能會採用90奈米製程，也就是說，90奈米製程要成為主流製程，最快也要到2006年上半才較有機會，因此，2005或2006年全球DRAM產業暫時不會出現嚴重供過於求。

此外，就算DRAM廠導入90奈米製程，也並非所有產能均將用於標準型DRAM，像是NAND型Flash、CMOS或利基型DRAM等，也將陸續採用90奈米製程，並佔用標準型DRAM產能，使得標準型DRAM產出受到壓抑，減緩供過於求壓力。

在台灣方面，根據 DRAMeXchange 估計，現在全球 12 吋 DRAM 廠的興建，以台灣的 40% 的市場佔有率最高，其中包含南科、茂德、力晶等廠商．台灣業者在製程技術研發上居弱勢，但龐大的產能及成本競爭力，已經得以與大廠相互抗衡。

由德國最大半導體商英飛凌與南亞科技合資興建的華亞半導體，在2002年12月動土興建 12 吋晶圓廠之後，在 2004 年 4 月間順利產出旗下第一片 0.11 微米溝槽式 (trench) 製程技術的 12 吋晶圓，現正朝第一階段年底前月產能 2.4 萬片的目標邁進，預期 2005 年底便能達到月產能 5.4 萬片的滿載。 英飛凌與華邦合作的十二吋廠也已在台中科學園區動土，明年起12 吋 DRAM 新產能將陸續開出。

在中國大陸方面，中芯國際北京十二吋廠(中芯四廠)在今年(2004)9月25日舉行生產線啟用投片典禮，這不但是大陸第一條十二吋晶圓生產線，更因為是以○．一一微米投產標準型 256Mb DDR產品，因此這也代表大陸開始擁有自己的DRAM生產能力。 2004Q4產能將拉升至一萬五千片，明年底則會拉升至三萬片，未來主要客戶包括英飛凌、日本DRAM廠爾必達外，在邏輯產品部份也會有手機晶片新客戶，應是前摩托羅拉半導體部門飛思卡爾 (Freescale)。 未來，在北京還要再興建二座十二吋廠(中芯五廠和六廠)。

三星電子在 2004 年 9 月中表示，其 12 吋晶圓生產線已導入先進 90 奈米製程，投入 512Mb DDR SDRAM 晶片的量產工作。由 0.1 微米製程移轉至 90 奈米製程之發展趨勢下，產能預計可大幅成長，增加幅度可達 40 ％之多。

世界上最大的DRAM供應商三星公司今年8月預測，全球DRAM的短缺將從上個季度的0.7%擴大到本季度的0.8%，而且到下個月，這個數字還將進一步擴大到1.6%，其主要原因是製造商們都將產能從DRAM轉移到閃存或者其他晶片的生產上。