德州儀器於美國德州投資300 億美元動土興建新 12 吋半導體晶圓廠
圖、德州儀器於美國德州投資300 億美元動土興建新 12 吋半導體晶圓廠
(臺北訊 2022 年 5 月19 日）德州儀器 （TI）（Nasdaq：TXN）今日於美國德州 Sherman 舉行全新 12 吋（300mm）半導體晶圓廠動土典禮。地方官員與社區領袖連袂出席，德州儀器董事長、總裁暨執行長 Rich Templeton 於儀式中和與會嘉賓共同慶祝德州史上最大的民營企業投資案順利動工興建，並重申公司長期致力擴大自有產能的承諾。
Templeton 表示：「今天是公司重要的里程碑，我們為電子產業與半導體的未來發展奠定堅實基礎，以充分支援公司客戶未來數十年的需求。公司從 90 多年前創立迄今，我們始終滿懷熱情，透過先進半導體催生更為經濟實惠的高效電子產品，進而創造更美好的世界。TI 很榮幸能在Sherman立足紮根，並且引入先進的 12 吋晶圓製造技術。」
這項潛在300 億美元的投資包括建立四座晶圓廠以滿足長期市場需求，更有望創造多達 3,000 個直接就業機會。新的晶圓廠預期每天將生產數千萬組類比與嵌入式處理晶片，供應予世界各地的電子產品製造商。
Sherman市長David Plyler 表示 : 「這項動工儀式為 Sherman 的半導體產業新局揭開了序幕，有望創造數十年的經濟良機並改善當地生活品質。我們感謝TI對於Sherman長期且持續性的投資，也期待雙方後續的長遠合作。」
永續製造
TI長期致力於實踐永續製造的企業責任。新廠房的設計將符合建築認證的結構效率與永續性的高級評等，也就是能源與環境設計領導認證（LEED）金級認證。Sherman的先進 12 吋晶圓設備與製程亦將進一步減少廢棄物、水資源與能源消耗。
投資並提升自有 12 吋晶圓之製造能力
Sherman新基地的首座晶圓廠預計將於2025 年投產。新的晶圓廠將加入TI現有的 12 吋晶圓廠陣營，包括位於德州達拉斯 （Dallas）的 DMOS6、位於德州 Richardson的 RFAB1和即將完工並預計於今年稍晚開始投產的 RFAB2 。此外，位於猶他州 Lehi的LFAB 預計將於 2023 年初投產。Templeton進一步指出 :「這些對長期製造能力的投資進一步提升了公司的成本優勢，進而確保對我們的供應鏈有更佳的掌控能力。」(728字；圖1)
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