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全球NAND快閃資本支出達299億美元 2022年估成長8%

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科技產業資訊室 (iKnow) - May 發表於 2022年3月18日
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圖、快閃記憶體資本支出(2012-2022)​
 
  • 2022 年NAND快閃資本支出預計將達到299億美元,創下新高。
  • 隨著 NAND 供應商準備參加 200 層設備的競爭,支出也在增長。
 
IC Insights 對半導體行業的資本支出預測報告,預測今年(2022) NAND快閃資本支出將增長 8% 至 299 億美元,超過 2018 年 278 億美元的歷史最高記錄(圖 1)。快閃資本支出在 2017 年飆升,當時該行業向 3D NAND 轉型,此後每年都超過 200 億美元。2022 年,快閃資本支出預計將增至 299 億美元,因為大型供應商和小型供應商又將保持適度激進的支出水平。
 
NAND快閃資本支出299 億美元約佔 2022 年整個 IC 行業資本支出預測 1904 億美元的 16%,僅落後於晶圓代工部門,該部門預計將佔今年行業資本支出的 41%。
 
新的和最近升級的 NAND快閃工廠包括三星的 Pyeongtaek Lines 1 和 2(也用於 DRAM 和代工);三星在中國西安的二期投資;鎧俠在日本岩手的 Fab 6 (Flash Ventures) 和 Fab K1;和美光在新加坡的第三家閃存工廠。此外,SK 海力士為其 M15 工廠的剩餘空間配備了 NAND 快閃。
 
在預測期內,隨著 NAND 閃存供應商準備從 2022 年底到 2023 年進入 200 層以上設備的競爭,將需要新的晶圓廠和新設備:
  • 三星和美光可能是第一個開始量產的公司今年晚些時候的 200 層設備。兩家公司以及 SK 海力士目前都在量產 176 層 NAND。
  • 三星位於中國西安的晶圓廠是(並將成為)領先 NAND 的關鍵製造地點,擁有兩個晶圓廠,每個晶圓廠全面投產後每月可生產 120,000 片晶圓。
  • 隨著對企業存儲應用的日益關注,SK 海力士預計將在 2023 年遷移到 196 層。(526字;圖1)


參考資料:
2022 Flash Memory CapEx Expected to Reach $29.9B; Set New High. IC Insights, 2022/3/15.


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