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長江存儲推出128層3D NAND快閃記憶體

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科技產業資訊室 (iKnow) - May 發表於 2021年8月5日

圖、長江存儲推出128層3D NAND快閃記憶體
 
2020年4月13日,長江存儲(YMTC)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號: X2-6070)研發成功,可用於固態硬碟,並已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
 
首款128層QLC規格的3D NAND閃存,長江存儲X2-6070單顆容量達1.33Tb,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存晶片容量。同時發布128層512Gb TLC(3 bit/cell)規格閃存晶片(型號:X2-9060),以滿足不同應用場景的需求。
 
長江存儲表示,得益於Xtacking,在長江存儲128層系列產品中,Xtacking 在I/O讀寫性能方面,X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現1.6Gbps(Gigabits/s 千兆位/秒)的數據傳輸速率。由於外圍電路和存儲單元分別採用獨立的製造技術,CMOS電路可選用更先進的製程,同時在晶片面積沒有增加的前提下。
 
X2-6070方面。QLC是繼TLC(3 bit/cell)後3D NAND新的技術形態,具有大容量、高密度等特點,適合於讀取密集型應用。每顆X2-6070 QLC閃存晶片擁有128層三維堆疊,共有超過3,665億個有效的電荷俘獲型(Charge-Trap)存儲單元,每個存儲單元可存儲4字位(bit)的數據,共提供1.33Tb的存儲容量,是上一代64層單顆晶片容量的5.33倍。
 
韓國記憶體製造商三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)分別在2019年8月和2020年第二季開始相同產品的生產。
 
據韓媒報導,在長江存儲成功量產128層產品後,韓國和中國記憶體製造技術的差距從3-4年被縮小到了1-2年。不過,X2-6070大規模量產及穩定性還有待確認,加上中國本地的需求仍然有限。(520字;圖1)
 
 
參考資料:
長江存儲推出128層QLC快閃記憶體,單顆容量達1.33Tb。長江存儲,2020/4/10。
YMTC Manufacturing 128-layer 3D NAND Flash Products. Business Korea, 2021/8/3.


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