長江存儲推出128層3D NAND快閃記憶體
科技產業資訊室 (iKnow) - May 發表於 2021年8月5日
圖、長江存儲推出128層3D NAND快閃記憶體
2020年4月13日，長江存儲（YMTC）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號： X2-6070）研發成功，可用於固態硬碟，並已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
首款128層QLC規格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070單顆容量達1.33Tb，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存晶片容量。同時發布128層512Gb TLC（3 bit/cell）規格閃存晶片（型號：X2-9060），以滿足不同應用場景的需求。
長江存儲表示，得益於Xtacking，在長江存儲128層系列產品中，Xtacking 在I/O讀寫性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現1.6Gbps（Gigabits/s 千兆位/秒）的數據傳輸速率。由於外圍電路和存儲單元分別採用獨立的製造技術，CMOS電路可選用更先進的製程，同時在晶片面積沒有增加的前提下。
X2-6070方面。QLC是繼TLC（3 bit/cell）後3D NAND新的技術形態，具有大容量、高密度等特點，適合於讀取密集型應用。每顆X2-6070 QLC閃存晶片擁有128層三維堆疊，共有超過3,665億個有效的電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲單元，每個存儲單元可存儲4字位（bit）的數據，共提供1.33Tb的存儲容量，是上一代64層單顆晶片容量的5.33倍。
韓國記憶體製造商三星電子（Samsung Electronics）和SK海力士（SK Hynix）分別在2019年8月和2020年第二季開始相同產品的生產。
據韓媒報導，在長江存儲成功量產128層產品後，韓國和中國記憶體製造技術的差距從3-4年被縮小到了1-2年。不過，X2-6070大規模量產及穩定性還有待確認，加上中國本地的需求仍然有限。(520字；圖1)
參考資料：
長江存儲推出128層QLC快閃記憶體，單顆容量達1.33Tb。長江存儲，2020/4/10。
YMTC Manufacturing 128-layer 3D NAND Flash Products. Business Korea, 2021/8/3.
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