快閃記憶體專利美國 ITC 調查 Spansion 控告旺宏及下游 25 家企業

2014 年 4 月 29 日 Spansion LLC ( 以下稱 Spansion) 向美國國際貿易委員會 (United States International Trade Commission, 以下簡稱 ITC) 提告，請求 ITC 依 1930 年美國關稅法 337 條 款 調查 Macronix International Co., Ltd. 及其子公司 Macronix Asia Limited, Macronix(Hong Kong) Co., Ltd.,( 以下合稱旺宏 ) 與下游廠商 等 25 家公司於美國使用、進口、 販賣 之 NOR 快閃記憶體，違法侵害 Spansion 所擁有之 US6246611 、 US6744666 、 US6399446 、 US6436766 等 4 項美國專利事件。

原告 Spansion 成立於 2003 年，由科技大廠超微半導體 (AMD) 以及日商富士通 (Fujitsu) 所共同合資成立，是一家嵌入式市場快閃記憶體解決方案供應商。目前 Spansion 持有 2560 項美國專利，以及 1530 項國外專利，並有超過 900 項的專利申請案正在進行審查程序中。

2009 年 3 月 Spansion 曾經申請破產保護，但已於 2010 年 5 月宣佈完成重整程序，成功脫離破產保護。同年 Spasion 收購日商富士通半導體的微控制器與類比業務， 2012 年再與 SK 海力士 (Hynix) 簽署授權協議，取得了嵌入式市場 SLC (single-level-cell) NAND 快閃記憶體元件技術，快速擴展 Spansion 在快閃記憶體市場之規模與技術優勢。

2010 年起， Spansion 開始發動一連串專利訴訟，積極主張專利權，包括 2010 年於數個地方法院以及 ITC 控告 Samsung 及其下游多家廠商專利侵權 ( 註一 ) ，該系列訴訟案最後由 Samsung 於 2011 年支付 1.5 億美元的交互授權金給 Spansion ，雙方和解撤銷訴訟收場。

被調查人旺宏是提供非揮發性記憶體整合元件解決方案的 IDM 廠商， 2013 年起， Spansin 陸續 於北加州地院與 ITC 提起數項訴訟，控告旺宏及其下游廠商侵害 Spansion 專利權，旺宏隨後也於 ITC 反控 Spansion 專利侵權，並向美國專利商標局舉發 Spansion 專利無效 ( 註二 ) 。

本調查案為 Spansion 向 ITC 控告旺宏與其下游廠商未經授權製造、販賣、進口與提供銷售利用系爭專利技術之 NOR 快閃記憶體，直接與間接侵害其專利權。被告廠商除了旺宏外，尚包括多家使用旺宏快閃記憶體之下游廠商，旺宏被告侵權產品及其他被告廠商與產品，如下表所列：

Spansion 除 提出實證以舉證被 調查 人 製造、進口與 販賣系爭 侵權產 品 之 事實 外，也 強調 Spansion 符合 337 調查案 之「 國內產業 ( domestic industry) 」 之要件 ，包括在美國境內投資設備生產、任用人員進行研發活動，且其商業活動也倚賴系爭專利技術之實施 。

Spansion 請求 ITC 核准發佈禁止被調查人侵權產品進口至美國之 永久排除令 (Permanent Exclusion Order) ，以及禁止被調查人在美國境內對已進口之系爭侵權產品進行行銷、散佈、販賣或提供技術支援等行為之 永久禁制令 (Permanent Cease and Desist Order) ，以遏止 該侵權行為對 Spansion 產生 進一步的侵害。 (907 字；表 2)

• 註一：請見本室前期報導： 快閃記憶體晶片， Spansion 再告三星禍及台灣廠商 。
• 註二：請見本室前期報導： 記憶體專利訴訟戰 旺宏電子 vs. Spansion 。

表一、系爭專利表列

專利名稱	System for erasing a memory cell	Method and system to minimize page programming time for flash memory devices
公開號	US 6,246,611	US 6,744,666
出版類型	授權	授權
申請書編號	09/514,560	10/243,792
發佈日期	2001 年 6 月 12 日	2004 年 6 月 1 日
申請日期	2000 年 2 月 28 日	2002 年 9 月 12 日
優先權日期	無	無
發明人	Pawletko; Joseph G., Le; Binh Quang, Hong; James M., Chen; Pau-Ling	Yachareni; Santosh, Kurihara; Kazuhiro, Shieh; Ming-Huei, Chen; Pau-Ling
原專利權人	Advanced Micro Devices, Inc.	Advanced Micro Devices, Inc. , Fujitsu Limited
圖示

專利名稱	Process for fabricating high density memory cells using a metallic hard mask	Process for fabricating high density memory cells using a polysilicon hard mask
公開號	US 6,399,446	US 6,436,766
出版類型	授權	授權
申請書編號	09/429,722	09/430,493
發佈日期	2000 年 10 月 24 日	2001 年 5 月 15 日
申請日期	1999 年 10 月 29 日	1999 年 10 月 29 日
優先權日期	無	無
發明人	Rangarajan; Bharath, Foote; David K., Wang; Fei, Hopper; Dawn M., Park; Stephen K., Thomas; Jack, Chang; Mark ) , Ramsbey; Mark	Rangarajan; Bharath, Foote; David K. Wang; Fei, Hopper; Dawn M., Park; Stephen K., Thomas; Jack, Chang; Mark, Ramsbey; Mark
原專利權人	Advanced Micro Devices, Inc.	Advanced Micro Devices, Inc.
圖示

訴訟名稱	Spansion LLC v. Macronix International Co., Ltd. et. al
提告日期	201 4 年 4 月 29 日
原告	Spansion LLC
被告	Macronix International Co., Ltd., Macronix Asia Limited, Macronix(Hong Kong) Co., Ltd., Acer Inc., Acer America Corporation, ADT Corporation, Amazon.com, Inc., The ASRock Inc., ASRock America, Inc., ASUSTek Computer Inc., Asus Computer International, Belkin International, Inc., D-Link Corporation, D-Link Systems, Inc., Leap Motion, Inc., Lowe's Companies, Inc., Lowe's Home Centers, Inc., Microsoft Corp., Nintendo Co., Ltd., Nitendo of America, Inc., Sercomm Corporation, Vonage Holkings Corp., Vonage America Inc., Vonage Marketing LLC
案號	337-TA-
訴訟法院	United States International Trade Commission
系爭專利	US6246611 ； US6744666 ； US6399446 ； US6436766
系爭產品	NOR 快閃記憶體
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