3D NAND型Flash將成為眾多廠商布局的重點

根據新帝的研究顯示，到了2016年全球NAND型快閃記憶體，在每年8%的年複合成長率帶動下，將可獲取市場規模（Total Addressable Market）達380億美元，比起當年傳統硬碟（HDD）的可獲取市場規模360億美元還要高出20億美元，主要原因就在於智慧型手機、平板電腦與企業級固態硬碟的需求帶動。

根據DRAMeXchange研究，2014年NAND型快閃記憶體位元需求年成長率達39%，產值成長率為5%，達到252億美元，其中，3D NAND型快閃記憶體生產比重只有占所有NAND型快閃記憶體的2%，因此未來成長空間仍舊非常之大，這也迫使三星、東芝、新帝、海力士與美光都正在加緊腳步往3D NAND型快閃記憶體產業前進，並競相擴充其產能。

3D NAND型快閃記憶體之所以重要，就在於其將改變未來產業面貌，例如：在智慧型手機中，其可儲存約50個小時的4K畫質影像。此外，3D NAND 型快閃記憶體能在2D NAND型相同容量下，讓產品變得更小又更輕薄，使其更容易內建在智慧眼鏡與智慧手錶等穿戴式裝置之上，有助於穿戴式裝置未來的發展。

不同於三星，東芝與新帝在NAND型快閃記憶體是以技術領先見長，所以雙方共同營運的四日市工廠內的閒置廠房改建成3D NAND型快閃記憶體專用廠房，投資規模高達5千億日圓，期望能夠在技術與量產上保持領先。

東芝更投資4千億日圓在15奈米製程NAND型快閃記憶體，期望透過全球最先端的製程，拉開與三星及其他業者之間的距離。根據東芝先前公布，其已經研發出全球首見的15奈米製程2-bit-per-cell 128-gigabit（相當於16 gigabytes）NAND型快閃記憶體產品，並計劃於2014年第二季量產採用15奈米製程的3-bit- per-cell NAND型快閃記憶體產品。

三星電子於2014年5月初宣布，於中國大陸西安建立的一座記憶體晶片製造廠正式啟用，旗下先進NAND型快閃記憶體「3D V-NAND」將在該廠進行投產，未來將應用在企業級固態硬碟市場。（792字）

圖一、2016年NAND Flash將超越HDD之可獲取市場規模

參考資料：Forbes, EETimes