2013年7月8日，Zond, Inc.(以下簡稱為Zond公司)，在美國馬薩諸塞州地方法院(U.S. Massachusetts District Court)，以本身所擁有的八件專利，向Renesas Electronics Corporation(瑞薩電子公司)以及Renesas Electronics America, Inc. (瑞薩電子美國分公司)(以下簡稱為被告公司)提起專利侵權訴訟案，指稱上述被告公司所生產、銷售、使用的產品侵害其專利。
本案的原告Zond公司註冊於美國德拉瓦州，其成立於2002年，為一家技術研發公司，旗下有一間子公司Zpulser, LLC，專門生產、銷售運用其專利技術的獨特高功率電漿(或稱「等離子體」)產生器(unique high-power plasma generators)相關產品。
本案的被告公司，瑞薩電子公司及瑞薩電子美國分公司，為NEC電子以及瑞薩科技合併後所成立的新公司。前述瑞薩科技與NEC電子原本為子母公司關係，後來兩者整合為一，成立了瑞薩電子公司。瑞薩電子公司為移動、汽車及個人電腦/AV（音頻視頻）市場提供領先半導體系統解決方案的全球供應商之一，也是全球首屈一指的微控制器供應商。該公司是LCD驅動器積體電路、智慧卡微控制器、射頻積體電路（RF-IC）、大功率放大器、混合信號積體電路、系統級晶片（SoC）、系統級封裝（SiP）等產品的領先供應商，其總部位於日本東京，在全球大約20個國家擁有製造、設計和銷售業務網路，有大約25,000名員工。
Zond公司於本次訴訟中，主張受到上述被告公司侵害的專利包括有以下八件：
- 美國第7,811,421號專利，名稱為「High deposition rate sputtering」(高沉積速率濺射)，發明人為Chistyakov，申請號為11/183,463，獲准日為10/12/2010。共有48個專利項，其中6個為獨立項。
- 美國第6,853,142號專利，名稱為「Methods and apparatus for generating high-density plasma」(用於產生高密度的電漿的方法和裝置)，發明人為Chistyakov，申請號為10/065,629，獲准日為2/8/2005。共有43個專利項，其中6個為獨立項。
- 美國第7,808,184號專利，名稱為「Methods and apparatus for generating strongly-ionized plasmas with ionizational instabilities」(用於在游離不穩定性下產生強離子化的電漿的方法和裝置)，發明人為Chistyakov，申請號為11/465,574，獲准日為10/5/2010。共有20個專利項，其中2個為獨立項。
- 美國第8,125,155號專利，名稱為「Methods and apparatus for generating strongly-ionized plasmas with ionizational instabilities」(用於在游離不穩定性下產生強離子化的電漿的方法和裝置)，發明人為Chistyakov，申請號為12/870,388，獲准日為2/28/2012。共有19個專利項，其中2個為獨立項。
- 美國第7,604,716號專利，名稱為「Methods and apparatus for generating high-density plasma」(用於產生高密度的電漿的方法和裝置)，發明人為Chistyakov，申請號為10/897,257，獲准日為10/20/2009。共有33個專利項，其中4個為獨立項。
- 美國第7,147,759號專利，名稱為「High-power pulsed magnetron sputtering」(高功率脈衝磁控濺射)，發明人為Chistyakov，申請號為10/065,277，獲准日為12/12/2006。共有50個專利項，其中3個為獨立項。
- 美國第6,805,779號專利，名稱為「Plasma generation using multi-step ionization」(用多步離子化的電漿生成)，發明人為Chistyakov，申請號為10/249,202，獲准日為10/19/2004。共有46個專利項，其中9個為獨立項。
- 美國第6,806,652號專利，名稱為「High-density plasma source using excited atoms」(使用激發原子的高密度電漿源)，發明人為Chistyakov，申請號為10/249,844，獲准日為10/19/2004。共有35個專利項，其中3個為獨立項。
以上幾件專利的發明人Chistyakov，是Zond公司的共同創辦人及總裁，而以上專利主要涉及了一種強電離電漿的獨特電漿放電技術之生成、使用及/或應用。
Zond公司在訴狀中指稱，被告公司在生產其28nm或更小節點(Nodes)的微控制器產品時，使用了Zond公司受專利保護的獨特電漿放電技術。具體而言，瑞薩科技的28nm節點侵權晶片，包括但不限於，微控制器、DRAM存儲器裝置，或其他由CMOS設備、SoC裝置以及其他半導體所集成的電路。侵權產品包括但不限於以下型號：內嵌有DRAM (“eDRAM”)、多標準的射頻接收機、類比數位轉換器(“ADC”)等的型號為MP 5232的通訊處理器。
Zond公司於7月8日提出本訴之後，隔日，Zond公司又以相同的系爭專利向日本富士通集團提訴。而在這之前，Zond公司即曾以相同系爭專利，已陸續對多家大廠提告過，包括：Toshiba America Electronic Components、SK Hynix, Inc.、Intel Corporation、Advanced Micro Devices, Inc.、Gillette Company等。
Zond公司提告的侵權產品各有所不同，然經研究後發現，Zond公司所提告的產品，大致上具有製程上利用強離子化電漿來形成微小節點的特徵，尤其是包括由CMOS設備、SoC裝置以及其他半導體所集成電路之產品。
或許是基於「各別擊破」的戰略考量，現階段Zond公司採取分別、逐一提告方式。然而，在引用系爭專利相同的情況下，不排除未來法院將合一審理。(1460字；表1)
表一、專利訴訟案件基本資料：
| 訴訟名稱 |
Zond, Inc. v. Renesas Electronics Corporation et al |
| 提告日期 |
2013年7月8日 |
| 原告 |
Zond, Inc. |
| 被告 |
Renesas Electronics Corporation and Renesas Electronics America, Inc. |
| 案號 |
1:2013cv11625 |
| 訴訟法院 |
Massachusetts District Court |
| 系爭專利 |
7,811,421 、6,853,142 、7,808,184 、8,125,155 、7,604,716 、7,147,759 、6,805,779 、6,806,652 |
| 訴狀下載 |
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Source:科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理，2013/7/17
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