相變化記憶體公司Ovonyx專利調查

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科技產業資訊室 (iKnow) - David 發表於 2007年1月30日

新聞：（2007年1月17日鉅亨網 - 奇夢達與Ovonyx今日簽署相變化記憶體技術授權協議）德國記憶體大廠奇夢達(Qimonda)與美國 Ovonyx公司今(17)日宣佈雙方達成一項長期交叉授權協議，將於獨立型記憶體產品上運用Ovonyx與奇夢達在相變化隨機存取記憶體(PCRAM) 技術方面的專利與智慧財產。根據該項協議，Ovonyx將主動支援奇夢達開發各種相變化記憶體產品的計畫。

表一、相變化記憶體發展歷史時間表
時間	事件
September 1966	Stanford Ovshinsky files first patent on phase change technology
September 1970	Gordon Moore publishes research in Electronics Magazine
June 1999	Ovonyx joint venture is formed to commercialize PRAM technology
November 1999	Lockheed Martin works with Ovonyx on PRAM for space applications
February 2000	Intel invests in Ovonyx, licenses technology
December 2000	ST Microelectronics licenses PRAM technology from Ovonyx
2001年3月	旺宏成立前瞻技術實驗室進行相變化記憶體開發
March 2002	Macronix files a patent application for transistor-less PRAM
July 2003	Samsung begins work on PRAM technology
2003 through 2005	PRAM-related patent applications filed by Toshiba, Hitachi, Macronix, Renesas, Elpida, Sony, Matsushita, Mitsubishi, Infineon and more
2004年7月	台灣旺宏電子（Macronix）與IBM簽訂「合作研發相變化非揮發性記憶體」聯盟協定
August 2004	Nanochip licenses PRAM technology from Ovonyx for use in MEMS probe storage
August 2004	Samsung announces successful 64Mbit PRAM array
February 2005	Elpida licenses PRAM technology from Ovonyx
September 2005	Samsung announces successful 256Mbit PRAM array, touts 400μA programming current
October 2005-	Intel increases investment in Ovonyx
December 2005	Hitachi and Renesas announce 1.5 volt PRAM with 100μA programming current
December 2005	Samsung licenses PRAM technology from Ovonyx
July 2006	BAE Systems (formerly Lockheed Martin) introduces a Radiation Hardened C-RAM 512Kx8 chip
September 2006	Samsung announces 512Mbit PRAM device
October 2006	Intel and STMicroelectronics show a 128Mbit PRAM chip
December 2006	IBM Research Labs demonstrate a prototype 3 by 20 nanometers[3] （旺宏、IBM與奇夢達聯合研發成果）
2007年1月	奇夢達與Ovonyx簽署相變化記憶體技術授權協議
Source: Wikipedia, 科技政策研究與資訊中心（STPI）整理， 2007/01

表二、 Stanford R. Ovshinsky 1960年代相關專利
專利號/申請日	專利名稱
US Pat. 3588638 - Filed Mar 24, 1969	CURRENT CONTROLLING DEVICE INCLUDING VOZ
US Pat. 3588639 - Filed Mar 21, 1969	CURRENT CONTROLLING DEVICE INCLUDING A VOZ FILM
US Pat. 3644741- Filed May 16, 1969	DISPLAY SCREEN USING VARIABLE RESISTANCE MEMORY SEMICONDUCTOR
US Pat. 3271719 - Filed Jun 21, 1961	RESISTANCE SWITCHES AND THE LIKE
US Pat. 3271584 - Filed May 28, 1962	RESISTANCE SWITCHES AND THE LIKE
US Pat. 3340405 - Filed Jul 5, 1966	ALTERNATING CURRENT PHASE CONTROL CIRCUIT
US Pat. 3715634 - Filed Jul 5, 1968	WITCH ABLE CURRENT CONTROLLING DEVICE WITH INACTIVE MATERIAL DISPERSED IN THE ACTIVE SEMICONDUCTOR MATERIAL
US Pat. 3327302 - Filed Apr 10, 1964	ANALOG-TO-DIGXTAL CONVERTER EMPLOYING SEMICONDUCTOR THRESHOLD DEVICE AND DIFFERENTIATOR CIRCUIT
US Pat. 3343034 - Filed Apr 10, 1964	TRANSIENT SUPPRESSOR THRESHOLD SEMICONDUCTOR DEVICE
US Pat. 3343004 - Filed Apr 10, 1964	HEAT RESPONSIVE CONTROL SYSTEM
US Pat. 3698006 - Filed May 29, 1969	HIGH SPEED PRINTER OF MULTIPLE COPIES FOR OUTPUT INFORMATION
US Pat. 3528856- Filed Aug 29, 1966	THERMOELECTRIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE
US Pat. 3343085- Filed Sep 20, 1966	OVERVOLTAGE PROTECTION OP A.C. MEASURING DEVICES
US Pat. 3336484 - Filed Apr 10, 1964	POWER SWITCHING CIRCUIT THRESHOLD SEMICONDUCTOR PEVICE
US Pat. 3508968 - Filed May 28, 1962	THERMOELECTRIC DEVICE
US Pat. 3336486 - Filed Sep 6, 1966	CONTROL SYSTEM HAVING MULTIPLE ELECTRODE CURRENT CONTROLLING DEVICE
US Pat. 3395445 - Filed May 9, 1966	METHOD OF MAKINGSOLIDSTATE RELAY DEVICES FROM TELLURIDES
US Pat. 3343075 - Filed Aug 15, 1966	MOISTURE RESPONSIVE CONTROL SYSTEM
US Pat. 3343076 - Filed Aug 15, 1966	OVSHINSKY FIX F FRESSURE RESPONSIVE CONTROL SYSTEM
US Pat. 3530441- Filed Jan 15, 1969	METHOD AND APPARATUS FOR STORING AND RETRIEVING INFORMATION
Source : Google Patent, 科技政策研究與資訊中心（STPI）整理， 2007/01

評析：

關於相變化記憶體（Phase-change Memory, PCM）的發展歷史可參考Wikipedia的說明[1]，或如下節錄：

Phase-change memory (also known as PCM, PRAM, Ovonic Unified Memory and Chalcogenide RAM [C-RAM]) is a type of non-volatile computer memory. PRAM uses the unique behavior of chalcogenide glass, which can be "switched" between two states, crystalline and amorphous, with the application of heat. PRAM is one of a number of new memory technologies that are attempting to compete in the non-volatile role with the almost universal Flash memory, which has a number of practical problems these replacements hope to address.

顧名思義，相變化記憶體是以相變化（Phase Change）原理運作的電子元件，其中相的變化主要在結晶態（crystalline）與非結晶態（amorphous）中切換，而改變此兩相的物理機制為加熱（heat）。亦即透過加熱，改變材料結構，材料結構不同，其物理行為（通常指的是電阻）也所有差異，數位訊號運作原理，”0”與”1”狀態即可判斷。

一般而言，記憶體可分為揮發性與非揮發性。一個簡單說明就是，當電源關閉後，揮發性記憶體的資料儲存狀態會消失，如常見的DRAM與SRAM。非揮發性記憶體可以在電源關閉後，仍儲存相關資料（如同硬碟HD般），常見的Flash記憶體，下世代MRAM、FeRAM與本文介紹之PCM均屬此類。

相變化記憶體發展歷史時間表如表一所示。包括1960年代Energy Conversion Devices公司[2]Stanford R. Ovshinsky相關研究工作與專利申請；1999年相變化記憶體技術授權公司Ovonyx成立，其中Ovonyx大股東包括Energy Conversion Devices公司與Intel等。後續發展包括Lockheed Martin、Intel、ST Microelectronics（意法半導體）、Samsung（三星電子）、Nanochip、Elpida（爾必達）等均與Ovonyx先後簽署授權協議，進行相關技術開發與商品化。台灣電子大廠旺宏電子（Macronix）亦於2001年3月成立前瞻技術實驗室進行相變化記憶體開發，並於2004年7月與IBM簽訂「合作研發相變化非揮發性記憶體」聯盟協定。旺宏、IBM與奇夢達在相變化記憶體的聯合開發計畫，亦有不錯的進展，可參考旺宏網站介紹[3]。需要說明，奇夢達的母公司Infineon在其他下世代記憶體開發上（例如MRAM）與IBM原本就有長時間的合作開發經驗。

關於Stanford R. Ovshinsky在1960年代的相關專利可由Google Patent搜尋，結果如表二所示。各篇專利全文影像，可上USPTO或Google Patent下載，或委託本中心進行全文列印與更進一步專利分析服務。

我們進一步調查Ovonyx專利，到2007年1月27日止，Ovonyx共有美國核准專利87篇、WIPO PCT共42筆、EPO Applications共32筆，其餘專利家族涵蓋日本、台灣、韓國、中國、澳洲與英國等。需要注意，Ovonyx在台灣、韓國與中國的布局強度高於日本與其他國家。以上Ovonyx專利列表，歡迎免費索取。關於Ovonyx專利檢索、分析與全文服務，可參考本中心說明。(2080字 ; 表2)

參考資料：

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