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場發射型顯示器(FED) 最新進展

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科技產業資訊室 發表於 2004年7月19日

■ 場發射型顯示器(FED) 最新進展

場發射顯示器(Field Emission Display,FED)是最類似傳統陰極射線管顯示器(Cathode Ray Tube Display,CRT)的新興平面顯示技術。FED具有自主發光的特性,因此不需背光源,且其電極在低工作電壓下就可產生和CRT相近的高亮度。另外由於其顯示原理近似於CRT,因此其沒有視角上的問題且具有快速的應答速度。除此之外,FED操作溫度範圍達到-40℃~+80℃,相當廣泛,因此FED亦具有較佳的耐環境性。雖然FED具有如此多的優點,但自其技術發展以來,由於電子發射元件製作不易,且壽命短,因此一直無法加以實用化。直到奈米碳管的出現,才突破了技術的困境,找到了新的電子發射元件的材料,也開啟了研究奈米碳管-場發射顯示器(Carbon NanoTube-Field Emission Display,CNT-FED)的新熱潮。

(Source: 薄型電視-奈米碳管場發射顯示器/元勤科技-馮育傑//2002/11/25/光電技術)

台灣專家:LCD未來光景只有十年 FED才是「明日之星」
2004-6-21 編輯:lhx
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台灣清大場發射型顯示器(FED)研發專家指出,台灣液晶顯示器產業今年雖可打敗韓國,成為全球最大供應地區,但LCD未來光景只有十年,目前包括鴻海、東元、大同以及「面板五虎」已著手研發納米碳管相關的新世代FED技術,以保持台灣顯示器產業的全球領先地位。

清大教授蔡春鴻列舉美國顯示器市場研究資料表示,液晶和等離子顯示器在大面積電視的需求量仍無法大量取代傳統的CRT技術,原因是成本太高。但是綜合各項條件之後,FED是優點較多的技術,可望成為下世代顯示器的明星。

日本和韓國近幾年都積極開發場發射平面顯示器,例如韓國三星已投入數百億美元在研發下世代的顯示器。未來一、二年內將推出試產的大屏幕產品,目前只待克服大面積的均勻度問題。

清大研發的納米碳管運用在FED的技術,是定位在顯示器的生產製程和設備方面,可以提高台灣顯示器產業在製程及設備的自主能力。

蔡春鴻表示,台灣半導體產業雖然被視為成功的產業,但是卻有一個大缺口,生產設備要依賴外商,這一個大缺口造成半導體產業的獲利率不高。台灣顯示器產業的產值雖可望在今年成為全球第一,產業鏈尚還完整,不過,LCD新技術不斷加入,未來光景不會超過十年,因此,應該積極尋求新的取代技術,特別是要提升製程和設備的自主能力,才不會重蹈半導體產業設備依賴外商的覆轍。

(Source: 中華液晶資訊網 )

日韓廠押寶FED面板 台廠指其已失市場先機
2004-5-31 編輯:zxg
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與台灣廠商孤注一擲地發展TFT LCD面板相比,日、韓等國對於新顯示技術發展明顯比台灣地區積極,日本在最新國家型計劃中將場發射顯示器(FED)視為重要發展目標之一,全球面板龍頭韓國三星(Samsung)更野心勃勃地全力開發大尺寸FED電視面板,並陸續發表32及38吋FED面板產品。不過,台灣面板廠多認為,FED商品化進程一再延後,早已錯過搶進市場的先機。

近來FED面板在技術上獲得重大突破,過去所採用Spindt技術因可靠度與成本問題無法解決,目前全球絕大多數投入FED的廠商,紛轉向碳納米管(CNT)技術。由於FED具有省電、溫度耐受範圍大等優點,加上納米技術是目前各國高科技研發重點,未來如果FED商品化步伐加快,在TFT LCD及等離子(PDP)技術在大尺寸平面電視市場的競爭中將出現變量。

目前包括韓國三星及日本佳能東芝(Canon-Toshiba),在50吋CNT-FED面板都已可達到60~80W的低耗電量,且與LCD僅能忍受0~60℃的溫度相比,FED的溫度耐受範圍更適合置於戶外及寒冷地區國家。

更重要的是,FED面板受到日、韓廠青睞的主要原因之一,是其生產成本較低。根據日廠估計,到2008年40吋LCD面板成本約為700美元,42吋PDP則為680美元,而42吋FED面板則僅需要450美元。

根據日本經濟產業省技術調查室數據顯示,在FED等新顯示技術快速發展影響下,極有可能對大尺寸LCD及PDP市場造成巨大影響,該機構預期到2010年,全球LCD市場規模為2.8~6兆日幣,PDP為0.2~0.6兆日幣,至於FED則為0.5~2.4兆日幣,市場規模超過PDP,並有進逼LCD市場之勢。

不過,台灣面板廠對於FED面板前景多不看好。奇美電子電視事業部協理郭振隆表示,FED技術要搶進大尺寸電視面板市場,已過了最佳時間點,因為目前無論是TFT LCD或PDP,都已發展出相當大的產業規模,至今尚未商品化的FED面板要與其競爭,除非具有絕對優勢,否則很難有出路。

彩晶總經理吳大剛表示,目前FED在技術發展上,仍有許多問題尚待解決,對於一家公司是否投入新技術,除考慮這項技術是否具有市場性,也必須檢視公司自身是否具有進入此一市場的核心競爭力,貿然投入新技術開發,將造成資源分散,因此,彩晶僅專注在TFT LCD產品開發,不會投入FED或PDP等技術。

華映更是明白地指出,現階段FED是因為搭上納米列車,因而獲得許多研發經費進行相關研究,但是有些高難度的技術,並非砸錢就會看到成果。華映強調,對於一個營利單位而言,一項技術必須具有量產的前景,才會考慮是否投入,目前FED技術尚未成熟,華映不會砸錢在看不到明顯成果的新技術上。

(Source: 中華液晶資訊網 )

日本雙葉電子工業株式會社展示五款FED新產品
2004-7-8 編輯:zxg
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日本雙葉電子工業株式會社在本月初日本東京舉行的」Finetech Japan 2004」展示了其已經開始市場化運作的5款FED(場發射顯示器)面板,目前這些產品已經開始在歐洲市場銷售。其中11.3英吋的彩色FED面板在日本電子展「CEATEC JAPAN 2003」上已經展出過。像素數為640×480VGA(視頻圖形陣列)。此次展示的面板的顯示色彩數為1670萬色。畫面亮度為350cd/㎡。以12V直流電源驅動,功率為11W。面板厚度為2.8mm。子像素尺寸為0.12mm×0.36mms。

主要規格如下表:

尺寸 4" 4.3" 5.9" 8" 11.3"
可視尺寸 97.82x24.58 97.92x49.15 120x90 177.12x98.28 230.4x172.8
分辨率 240x64 240x128 320x240 480x234 640x480
像素尺寸 0.136x0.384 0.136x0.384 0.125x0.375 0.123x0.42 0.12x0.36
亮度(nit) 1000 1000 800 500 350
功耗(W) 2 3 T.B.D 7

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(Source: 中華液晶資訊網 )

摩托羅拉開發出成本比液晶面板和PDP更低的FED面板
2003-7-4 編輯:Drag
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摩托羅拉日前成功開發出使用碳納米管的FED面板。除已經發表的15英吋樣品以外,該公司還將加緊試制30英吋產品。據悉,摩托羅拉並不準備自己生產FED面板,而是計劃向日韓兩國的液晶面板製造商和PDP製造商以及成品製造商,提供有關FED面板的專利授權。目前已與多家製造商接觸,正在就授權問題進行磋商。摩托羅拉把此次開發的FED面板稱為「NED(Nano-emissive Display,納米發光顯示器)」,在美國已經獲得160項NED相關專利。

據介紹,此次開發的FED面板的技術特點在於,FED面板各像素中使用的發射極(發射電子的電極)中,使用了碳納米管。並使碳納米管在底板上沿垂直方向有選擇地生長。該公司強調指出,這樣就能夠以不足50V的電壓,從發射極發射出電子。因此,驅動IC能夠使用比PDP中的驅動IC更便宜的品種。利用該技術生產高清晰數字電視(HDTV)FED面板時,可以把驅動IC的成本控制在100美元左右。另據瞭解,生產超過30英吋的大尺寸面板模塊時,與液晶面板相比,成本大約可以降低30%左右。

(Source: 中華液晶資訊網 )

使用碳納米管的FED面板齊亮相
2004-5-24 編輯:lhx
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在電視機的耗電量方面業界普遍認為FED(場發光顯示器)面板比液晶面板和PDP小。定於2004年5月26日舉行的「SID 2004」專題研討會「FIELD-EMISSION DISPLAYS(場發光顯示器)」上,將發表FED面板的最新技術。

在該研討會上,法國CEA Grenoble-LETI與摩托羅拉將聯合發表QVGA格式的6英吋FED面板。通過採用使用CVD技術形成碳納米管的技術,可將開關電壓控制到+50V以下。摩托羅拉曾於2003年7月發表過採用利用CVD技術形成碳納米管的FED面板。通過使用CVD技術,碳納米管將會在底板上沿垂直方向有選擇性地成長,結果就能在低電壓下驅動。

在利用CVD技術形成碳納米管的FED面板方面,日本則武(Noritake)和三重大學及日本產業技術綜合研究所將發表三方共同開發的產品。分辨率為48x480像素,像素間隔為3nm。利用CVD技術在金屬電極上形成了碳納米管。在使用CVD沿垂直方向形成碳納米管的技術方面,在相關專題研討會「FED EMITTERS」上,韓國慶熙大學(Kyung Hee University)將進行技術發表。   

除碳納米管以外,在由加工成金字塔型陰極放射電子的FED面板方面,日本雙葉電子工業將進行技術發表。畫面尺寸為11.3英吋,亮度為350cd/㎡,耗電量為11W。該公司在2003年10月舉辦的「CEATEC JAPAN 2003」展會上曾展出過相同規格的面板,此次的發表估計將公佈該面板的詳細內容。

(Source: 中華液晶資訊網 )

三星SDI即將完成30吋數字電視用FED技術的開發
2004-5-10 編輯:zxg
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根據韓國YonhapNews 9日的報導,在韓國擁有最多FED(場發射顯示器)相關專利的三星SDI,繼於2001年開發出Carbon Nanotube(碳納米管)半導體組件後,最近在30吋數字電視用FED技術的開發,業已接近完成階段。

三星SDI開發中的30吋數字電視用FED技術,是採用可大幅降低生產成本的碳納米管式FED技術,而非Microtip式FED技術。

不僅僅是三星電子SDI,日本公司目前也投入到FED的開發中來,三菱最近成立了FED項目組投入到10英吋FED的研發中來,到2007年將會推出30英吋的FED產品。SONY位於美國的技術公司已經開發出13.2英吋的FED,今年可能會向市場推出15~40英吋的產品。

(Source: 中華液晶資訊網 )

發射型顯示器(FED) (台灣期刊研究 ~ 2004)
最近資料搜尋日期:2004/07/19
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  1. 場放射顯示器之螢光技術 楊素華 電子月刊 92.08 頁135-142
  2. 奈米碳管之製備及「碳管場發射顯示器」(CNT-FED)之發展 黃建良 化工資訊 91.09 頁31-37
  3. 奈米碳管之製備及「碳管場發射顯示器」(CNT-FED)之發展 黃建良 化工資訊 91.09
  4. 場發射顯示器技術介紹 林高照 陳國基 電子月刊 91.08
  5. 場發射顯示器技術現況與發展 黃宣宜 光連:光電產業及技術情報 91.05
  6. 具有聚焦結構場發射微三極體之電腦模擬研究 藍永強 胡瑗 真空科技 91.04
  7. 場發射顯示器之發展 鄭晃忠 澹臺富 電子月刊 89.11
  8. 場發射顯示器簡介 賴俊村 物理雙月刊 88.04
  9. 場發射顯示器之趨勢與展望 橫山明聰 楊素 光訊 87.08
  10. 下一代薄型顯示器--脈衝雷射成長碳類鑽膜場發射顯示器研究 余正賢 工業材料 86.08
  11. Diamond-Like Carbon Film Deposition and Field Emission Display Investigation 羅吉宗 余正賢 大同學報 85.11
  12. 新顯示器技術--場發射顯示器 高念衫 新電子科技雜誌 85.07
  13. 薄膜技術在場發射顯示器上之應用 王智充 鄭晃忠 電子月刊 85.07
  14. 場發射顯示器技術 謝家 電子月刊 84.09
發射型顯示器(FED) 最新進展 (大陸期刊研究 ~ 2004)
最近資料搜尋日期:2004/07/19
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場熱電子發射與場熱電子顯示屏FTD
【論文題名】場熱電子發射與場熱電子顯示屏FTD
【英文題名】FieldThermalElectronsEmissionandFieldThermalDisplay(FTD)
【作者】羅恩澤羅宏吳正軍羅偉
【作者單位】西安電子科技大學場發射實驗室,西安,710071;西安奧迅科技發展有限公司,西安,710054;西安電子工程研究所,西安,710100;西安奧迅科技發展有限公司,西安,710054
【刊名】現代顯示
【英文刊名】ADVANCED DISPLAY
【年卷期】2004No.2
【關鍵詞】場熱電子發射;場熱電子顯示屏(FTD);平板顯示器
【摘要】由於場熱電子發射顯示屏FTD采用場熱發射微電子槍平板陣列,對場強和真空度的要求都不高,而且發射電流密度大
,發射電流穩定性和均勻性好,故FTD既具有與液晶顯示屏LCD、等離子顯示屏PDP和場電子顯示屏FED一樣的平板結構又具有與陰極射線顯像管CRT一樣的高亮度、高清晰度、廣視角、低功耗、長壽命和優良的彩色圖像。而且FTD生產工藝簡單,凡能夠生產CRT、LCD和PDP的廠家,不必增加大型設備,即可生產FTD。因此FTD生產成本低,是一種能夠實現CRT平板化,並與其它平板顯示屏,如LCD、PDP等在市場中相競爭的優質平析顯示屏。

場致發射三極管的結構模擬
【論文題名】場致發射三極管的結構模擬
【英文題名】Simulationofthestructureoffieldemissiontriode
【作者】李莉杜英華李炳炎廖復疆
【作者單位】山東大學,信息科學與工程學院,山東,濟南,250100;山東大學,信息科學與工程學院,山東,濟南,250100;山東大學,
信息科學與工程學院,山東,濟南,250100;山東大學,信息科學與工程學院,山東,濟南,250100
【刊名】山東大學學報(理學版)
【英文刊名】JOURNALOFSHANDONGUNIVERSITY(NATURALSCIENCE)
【年卷期】2004Vol.39No.2
【關鍵詞】場致發射三極管;發射電流密度;聚焦
【摘要】以場致發射原理為基礎,對場致發射三極管器件結構進行有限差分的模擬計算。在保持其它參數不變的條件下,改變尖錐曲率半徑、柵孔半徑,分析對電場強度、發射電流密度及電子軌跡的影響。針對電子注的發散問題,討論雙聚焦情況。

碳納米管陣列的氣相沉積制備及場發射特性
【論文題名】碳納米管陣列的氣相沉積制備及場發射特性
【英文題名】FabricationofAlignedCarbonNanotubesbyaVapor-phaseDepositionTechniqueandTheirFieldEmissionProperties
【作者】張琦鋒於潔宋教花張耿民張兆祥薛增泉吳錦雷
【作者單位】北京大學電子學系,北京,100871;北京大學電子學系,北京,100871;北京大學電子學系,北京,100871;北京大學電子學系,北京,100871;北京大學電子學系,北京,100871;北京大學電子學系,北京,100871;北京大學電子學系,北京,100871
【刊名】物理化學學報
【英文刊名】ACTAPHYSICO-CHIMICASINICA
【年卷期】2004Vol.20No.4
【關鍵詞】碳納米管,氣相沉積,場發射,屏蔽效應
【摘要】運用菁鐵熱解法氣相沉積制備了碳納米管陣列。所得碳納米管呈多壁結構。單根碳納米管的平均直徑約為25nm,長度約4~5μm,且具有很好的準直性。研究了碳納米管陣列的平面場發射特性,相應的開啟電壓和閾值電壓分別為1。28和2。3V‧μm-1,表明碳納米管具有很強的場發射能力。利用場發射顯微鏡觀察了碳納米管陣列的場發射像,發現碳納米管陣列的場發射主要集中在樣品薄膜的邊緣部位。這是由於碳納米管密度過大而產生的屏蔽效應所致。

■類富勒烯納米晶CNx薄膜及其場致電子發射特性
【論文題名】類富勒烯納米晶CNx薄膜及其場致電子發射特性
【英文題名】Fullerene-likenano-crystallineCNxfilmsanditscharacteristicsoffieldelectronemission
【作者】張蘭馬會中李會軍楊仕娥姚寧胡歡陵張兵臨
【作者單位】鄭州大學工程力學系,鄭州,450002;中國科學院安徽光學精密機械研究所,合肥,230031;鄭州大學工程力學系,鄭州,450002;鄭州大學物理工程學院,鄭州,450052;鄭州大學物理工程學院,鄭州,450052;鄭州大學物理工程學院,鄭州,450052;中國科學院安徽光學精密機械研究所,合肥,230031;鄭州大學物理工程學院,鄭州,450052
【刊名】物理學報
【英文刊名】ACTAPHYSICASINICA
【年卷期】2004Vol.53No.3
【關鍵詞】類富勒烯,CNx薄膜,場致電子發射,微波等離子體增強化學氣相沉積
【摘要】利用微波等離子體增強化學氣相沉積技術制備出了CNx薄膜,並利用x射線光電子能譜、x射線衍射、掃描電子顯微鏡和Raman光譜等測試手段對所制備的CNx薄膜的微結構和成分進行了分析。研究了其場致電子發射特性。發現薄膜的結構和場發射特性與反應繫中的甲烷、氮氣及氫氣的流量比有關,當甲烷、氫氣及氮氣流量比為8/50/50sccm時,制備的薄膜具有彎曲層狀的納米石墨晶體結構(類富勒烯結構)和很好的場發射特性。場發射閾值電場降低至1。1V/μm。當電場為5。9V/μm時,平均電流密度達70μA/cm2,發射點密度大於1×104cm-2。

■絲網印刷制備碳納米管場發射陰極的研究
【論文題名】絲網印刷制備碳納米管場發射陰極的研究
【英文題名】FabricationofCarbonNanotubeFieldEmissionCathodebyScreenPrinting
【作者】周雪東雷威張宇寧王琦龍李俊濤李家會
【作者單位】東南大學電子工程繫,江蘇南京,210096;東南大學電子工程繫,江蘇南京,210096;東南大學電子工程繫,江蘇南京,210096;東南大學電子工程繫,江蘇南京,210096;東南大學電子工程繫,江蘇南京,210096;西南科技大學信息與控制工程學院,四川綿陽,621002
【刊名】真空科學與技術
【英文刊名】JOURNALOFVACUUMSCIENCEANDTECHNOLOGY
【年卷期】2004Vol.24No.1
【關鍵詞】碳納米管絲網印刷場發射陰極表面處理
【摘要】碳納米管(CNT)是理想的場發射陰極材料。本文分析了CNT的長度、直徑以及排列密度與CNT陰極場增強因子的關繫,研究了大面積CNT場發射陰極的絲網制備技術,包括CNT漿料配制、陰極電極的制作、陰極燒制方法和表面處理方法。文中實際制備了CNT陰極,利用二極管結構測試了對其表面處理前後的場發射性能。實驗結果證明,采用本文所研究的制備技術能夠印制高性能的場發射CNT陰極,該研究為制備大面積CNT陰極陣列提供了技術基礎。

碳納米管薄膜的場發射特性研究
【論文題名】碳納米管薄膜的場發射特性研究
【英文題名】FieldEmissionCharacterofNanotube
【作者】曾葆青田時開殷吉昊楊中海
【作者單位】電子科技大學物理電子學院,成都,610054;電子科技大學物理電子學院,成都,610054;電子科技大學物理電子學院,成都,610054;電子科技大學物理電子學院,成都,610054
【刊名】電子科技大學學報
【英文刊名】JOURNALOFUNIVERSITYOFELECTRONICSCIENCEANDTECHNOLOGYOFCHINA
【年卷期】2003Vol.32No.6
【關鍵詞】碳納米管;場發射;場發射平面顯示器;陰極
【摘要】碳納米管薄膜是一種能應用於場發射平面顯示器等器件中的新型冷陰極材料。該文用Ni作為催化劑,采用催化熱解法在片上制備了多壁碳納米管薄膜場發射陰極,反應氣體為乙炔、氫氣和氮氣。用SEM和TEM分析了其結構,證明了碳納米管的直徑在50~70nm間。進而采用二極管結構,在優於10-4Pa的真空度下,測試了它的場發射特性,理論分析表明碳納米管薄膜的場發射實際上來源於突出於薄膜表面的部分碳納米管頂端。該陰極的開啟電場為8V/μm;在11V/μm時測試到了最大的發射電流密度2mA/cm2,滿足場發射平面顯示器的要求。

■一種基於納米碳管的常開型後柵極場致發射顯示板
【論文題名】一種基於納米碳管的常開型後柵極場致發射顯示板
【英文題名】Acarbonnanotube-basednormalonunder-gatefieldemissiondisplaypanel
【作者】王保平尹涵春仲雪飛
【作者單位】東南大學電子工程繫,南京,210096;東南大學電子工程繫,南京,210096;東南大學電子工程繫,南京,210096;
【刊名】東南大學學報(自然科學版)
【英文刊名】JOURNALOFSOUTHEASTUNIVERSITY(NATURALSCIENCEEDITION)
【年卷期】2004Vol.34No.1
【關鍵詞】場致發射顯示板;常開型;後柵極;發射特性
【摘要】提出了一種常開型後柵極場致發射顯示板及其工作原理。該顯示板直接利用陽極使陰極產生場致電子發射,而通過埋在陰極之下的柵極上施加低於陰極電壓的電壓來阻止陰極產生場致電子發射,從而來調制顯示所需圖像。文中采用有限元法對該場致發射器件的電場強度分布進行了模擬計算,並研究了該器件中陰極的發射特性。計算結果表明在該場致發射顯示板中,陰極發射均勻性好,發射面積大,從理論上證明了該常開型後柵極場致發射顯示板工作原理的可行性。

■基於半導體工藝制備碳納米管陰極圖形陣列
【論文題名】基於半導體工藝制備碳納米管陰極圖形陣列
【英文題名】StudyonCarbonNanotubesPatternCathodePreparedbySemiconductorTechnology
【作者】李琰史永勝朱長純
【作者單位】西安交通大學,電子與信息工程學院,陝西,西安,710049;西安交通大學,電子與信息工程學院,陝西,西安,710049;西安交通大學,電子與信息工程學院,陝西,西安,710049;
【刊名】半導體光電
【英文刊名】SEMICONDUCTOROPTOELECTRONICS
【年卷期】2003Vol.24No.6
【關鍵詞】碳納米管;圖形陣列;場致發射顯示器
【摘要】提出一種成本低、簡單易行的碳納米管圖形陣列制備技術。首先在基底上采用熱解工藝生長碳納米管(CNT)陰極,再用光刻腐蝕法制備陰極圖形陣列。研究了掩模精度及腐蝕液的濃度對圖形陣列的影響,對所得到的圖形樣品進行XPS分析表明,圖形腐蝕徹底、圖形邊沿輪廓清晰;以二極管結構FED測試場發射性能知:該陰極開啟場1。5V/μm;在電場強度為2。0V/μm下,電流密度為58mA/mm2,發光亮度高達450cd/m2。

C基薄膜電子場發射的一般特性及發射模型
【論文題名】C基薄膜電子場發射的一般特性及發射模型
【英文題名】FieldemissionpropertiesandfieldemissionmodelsofC-basedfilms
【作者】馬騰纔李建劉艷紅
【作者單位】大連理工大學三束材料改性國家重點實驗室,遼寧,大連,116024;大連理工大學三束材料改性國家重點實驗室,遼寧,大連,116024;大連理工大學三束材料改性國家重點實驗室,遼寧,大連,116024;
【刊名】真空
【英文刊名】VACUUM
【年卷期】2004Vol.41No.01
【關鍵詞】金剛石;電子發射
【摘要】介紹了幾種碳基材料的場發射特性及其發射模型。金剛石表面具有較低的或負的電子親和勢,因無法實現N型摻雜,難以用作電子發射材料。類金剛石膜及非晶碳膜材料經過"激活"後在表面形成具有較大場增強因子的熔坑,在幾~幾十V/μm的低閾值電場下得到非本征的電子發射,納米結構的碳和碳納米管本身具有較大的場增強因子,是較有前途的平面陰極場發射材料。碳基材料的導電性不同,遵循的發射模型不同。

場熱電子發射與場熱電子顯示屏FTD
【論文題名】場熱電子發射與場熱電子顯示屏FTD
【英文題名】FieldThermalElectronsEmissionandFieldThermalDisplay(FTD)
【作者】羅恩澤羅宏吳正軍羅偉
【作者單位】西安電子科技大學場發射實驗室,西安,710071;西安奧迅科技發展有限公司,西安,710054;西安電子工程研究所,西安,710100;西安奧迅科技發展有限公司,西安,710054
【刊名】現代顯示
【英文刊名】ADVANCEDDISPLAY
【年卷期】2004No.2
【關鍵詞】場熱電子發射;場熱電子顯示屏(FTD);平板顯示器
【摘要】由於場熱電子發射顯示屏FTD采用場熱發射微電子槍平板陣列,對場強和真空度的要求都不高,而且發射電流密度大
,發射電流穩定性和均勻性好,故FTD既具有與液晶顯示屏LCD、等離子顯示屏PDP和場電子顯示屏FED一樣的平板結構又具有與陰極射線顯像管CRT一樣的高亮度、高清晰度、廣視角、低功耗、長壽命和優良的彩色圖像。而且FTD生產工藝簡單,凡能夠生產CRT、LCD和PDP的廠家,不必增加大型設備,即可生產FTD。因此FTD生產成本低,是一種能夠實現CRT平板化,並與其它平板顯示屏,如LCD、PDP等在市場中相競爭的優質平析顯示屏。

場致發射三極管的結構模擬
【論文題名】場致發射三極管的結構模擬
【英文題名】Simulationofthestructureoffieldemissiontriode
【作者】李莉杜英華李炳炎廖復疆
【作者單位】山東大學,信息科學與工程學院,山東,濟南,250100;山東大學,信息科學與工程學院,山東,濟南,250100;山東大學,
信息科學與工程學院,山東,濟南,250100;山東大學,信息科學與工程學院,山東,濟南,250100
【刊名】山東大學學報(理學版)
【英文刊名】JOURNALOFSHANDONGUNIVERSITY(NATURALSCIENCE)
【年卷期】2004Vol.39No.2
【關鍵詞】場致發射三極管;發射電流密度;聚焦
【摘要】以場致發射原理為基礎,對場致發射三極管器件結構進行有限差分的模擬計算。在保持其它參數不變的條件下,改變尖錐曲率半徑、柵孔半徑,分析對電場強度、發射電流密度及電子軌跡的影響。針對電子注的發散問題,討論雙聚焦情況。

碳納米管陣列的氣相沉積制備及場發射特性
【論文題名】碳納米管陣列的氣相沉積制備及場發射特性
【英文題名】FabricationofAlignedCarbonNanotubesbyaVapor-phaseDepositionTechniqueandTheirFieldEmissionProperties
【作者】張琦鋒於潔宋教花張耿民張兆祥薛增泉吳錦雷
【作者單位】北京大學電子學系,北京,100871;北京大學電子學系,北京,100871;北京大學電子學系,北京,100871;北京大學電子學系,北京,100871;北京大學電子學系,北京,100871;北京大學電子學系,北京,100871;北京大學電子學系,北京,100871
【刊名】物理化學學報
【英文刊名】ACTAPHYSICO-CHIMICASINICA
【年卷期】2004Vol.20No.4
【關鍵詞】碳納米管,氣相沉積,場發射,屏蔽效應
【摘要】
運用菁鐵熱解法氣相沉積制備了碳納米管陣列。所得碳納米管呈多壁結構。單根碳納米管的平均直徑約為25nm,長度約4~5μm,且具有很好的準直性。研究了碳納米管陣列的平面場發射特性,相應的開啟電壓和閾值電壓分別為1。28和2。3V‧μm-1,表明碳納米管具有很強的場發射能力。利用場發射顯微鏡觀察了碳納米管陣列的場發射像,發現碳納米管陣列的場發射主要集中在樣品薄膜的邊緣部位。這是由於碳納米管密度過大而產生的屏蔽效應所致。

■類富勒烯納米晶CNx薄膜及其場致電子發射特性
【論文題名】類富勒烯納米晶CNx薄膜及其場致電子發射特性
【英文題名】Fullerene-likenano-crystallineCNxfilmsanditscharacteristicsoffieldelectronemission
【作者】張蘭馬會中李會軍楊仕娥姚寧胡歡陵張兵臨
【作者單位】鄭州大學工程力學系,鄭州,450002;中國科學院安徽光學精密機械研究所,合肥,230031;鄭州大學工程力學系,鄭州,450002;鄭州大學物理工程學院,鄭州,450052;鄭州大學物理工程學院,鄭州,450052;鄭州大學物理工程學院,鄭州,450052;中國科學院安徽光學精密機械研究所,合肥,230031;鄭州大學物理工程學院,鄭州,450052
【刊名】物理學報
【英文刊名】ACTAPHYSICASINICA
【年卷期】2004Vol.53No.3
【關鍵詞】類富勒烯,CNx薄膜,場致電子發射,微波等離子體增強化學氣相沉積
【摘要】利用微波等離子體增強化學氣相沉積技術制備出了CNx薄膜,並利用x射線光電子能譜、x射線衍射、掃描電子顯微鏡和Raman光譜等測試手段對所制備的CNx薄膜的微結構和成分進行了分析。研究了其場致電子發射特性。發現薄膜的結構和場發射特性與反應繫中的甲烷、氮氣及氫氣的流量比有關,當甲烷、氫氣及氮氣流量比為8/50/50sccm時,制備的薄膜具有彎曲層狀的納米石墨晶體結構(類富勒烯結構)和很好的場發射特性。場發射閾值電場降低至1。1V/μm。當電場為5。9V/μm時,平均電流密度達70μA/cm2,發射點密度大於1×104cm-2。

■絲網印刷制備碳納米管場發射陰極的研究
【論文題名】絲網印刷制備碳納米管場發射陰極的研究
【英文題名】FabricationofCarbonNanotubeFieldEmissionCathodebyScreenPrinting
【作者】周雪東雷威張宇寧王琦龍李俊濤李家會
【作者單位】東南大學電子工程繫,江蘇南京,210096;東南大學電子工程繫,江蘇南京,210096;東南大學電子工程繫,江蘇南京,210096;東南大學電子工程繫,江蘇南京,210096;東南大學電子工程繫,江蘇南京,210096;西南科技大學信息與控制工程學院,四川綿陽,621002
【刊名】真空科學與技術
【英文刊名】JOURNALOFVACUUMSCIENCEANDTECHNOLOGY
【年卷期】2004Vol.24No.1
【關鍵詞】碳納米管絲網印刷場發射陰極表面處理
【摘要】碳納米管(CNT)是理想的場發射陰極材料。本文分析了CNT的長度、直徑以及排列密度與CNT陰極場增強因子的關繫,研究了大面積CNT場發射陰極的絲網制備技術,包括CNT漿料配制、陰極電極的制作、陰極燒制方法和表面處理方法。文中實際制備了CNT陰極,利用二極管結構測試了對其表面處理前後的場發射性能。實驗結果證明,采用本文所研究的制備技術能夠印制高性能的場發射CNT陰極,該研究為制備大面積CNT陰極陣列提供了技術基礎。

碳納米管薄膜的場發射特性研究
【論文題名】碳納米管薄膜的場發射特性研究
【英文題名】FieldEmissionCharacterofNanotube
【作者】曾葆青田時開殷吉昊楊中海
【作者單位】電子科技大學物理電子學院,成都,610054;電子科技大學物理電子學院,成都,610054;電子科技大學物理電子學院,成都,610054;電子科技大學物理電子學院,成都,610054
【刊名】電子科技大學學報
【英文刊名】JOURNALOFUNIVERSITYOFELECTRONICSCIENCEANDTECHNOLOGYOFCHINA
【年卷期】2003Vol.32No.6
【關鍵詞】碳納米管;場發射;場發射平面顯示器;陰極
【摘要】碳納米管薄膜是一種能應用於場發射平面顯示器等器件中的新型冷陰極材料。該文用Ni作為催化劑,采用催化熱解法在片上制備了多壁碳納米管薄膜場發射陰極,反應氣體為乙炔、氫氣和氮氣。用SEM和TEM分析了其結構,證明了碳納米管的直徑在50~70nm間。進而采用二極管結構,在優於10-4Pa的真空度下,測試了它的場發射特性,理論分析表明碳納米管薄膜的場發射實際上來源於突出於薄膜表面的部分碳納米管頂端。該陰極的開啟電場為8V/μm;在11V/μm時測試到了最大的發射電流密度2mA/cm2,滿足場發射平面顯示器的要求。

 

■一種基於納米碳管的常開型後柵極場致發射顯示板
【論文題名】一種基於納米碳管的常開型後柵極場致發射顯示板
【英文題名】Acarbonnanotube-basednormalonunder-gatefieldemissiondisplaypanel
【作者】王保平尹涵春仲雪飛
【作者單位】東南大學電子工程繫,南京,210096;東南大學電子工程繫,南京,210096;東南大學電子工程繫,南京,210096;
【刊名】東南大學學報(自然科學版)
【英文刊名】JOURNALOFSOUTHEASTUNIVERSITY(NATURALSCIENCEEDITION)
【年卷期】2004Vol.34No.1
【關鍵詞】場致發射顯示板;常開型;後柵極;發射特性
【摘要】提出了一種常開型後柵極場致發射顯示板及其工作原理。該顯示板直接利用陽極使陰極產生場致電子發射,而通過埋在陰極之下的柵極上施加低於陰極電壓的電壓來阻止陰極產生場致電子發射,從而來調制顯示所需圖像。文中采用有限元法對該場致發射器件的電場強度分布進行了模擬計算,並研究了該器件中陰極的發射特性。計算結果表明在該場致發射顯示板中,陰極發射均勻性好,發射面積大,從理論上證明了該常開型後柵極場致發射顯示板工作原理的可行性。

■基於半導體工藝制備碳納米管陰極圖形陣列
【論文題名】基於半導體工藝制備碳納米管陰極圖形陣列
【英文題名】StudyonCarbonNanotubesPatternCathodePreparedbySemiconductorTechnology
【作者】李琰史永勝朱長純
【作者單位】西安交通大學,電子與信息工程學院,陝西,西安,710049;西安交通大學,電子與信息工程學院,陝西,西安,710049;西安交通大學,電子與信息工程學院,陝西,西安,710049;
【刊名】半導體光電
【英文刊名】SEMICONDUCTOROPTOELECTRONICS
【年卷期】2003Vol.24No.6
【關鍵詞】碳納米管;圖形陣列;場致發射顯示器
【摘要】提出一種成本低、簡單易行的碳納米管圖形陣列制備技術。首先在基底上采用熱解工藝生長碳納米管(CNT)陰極,再用光刻腐蝕法制備陰極圖形陣列。研究了掩模精度及腐蝕液的濃度對圖形陣列的影響,對所得到的圖形樣品進行XPS分析表明,圖形腐蝕徹底、圖形邊沿輪廓清晰;以二極管結構FED測試場發射性能知:該陰極開啟場1。5V/μm;在電場強度為2。0V/μm下,電流密度為58mA/mm2,發光亮度高達450cd/m2。

C基薄膜電子場發射的一般特性及發射模型
【論文題名】C基薄膜電子場發射的一般特性及發射模型
【英文題名】FieldemissionpropertiesandfieldemissionmodelsofC-basedfilms
【作者】馬騰纔李建劉艷紅
【作者單位】大連理工大學三束材料改性國家重點實驗室,遼寧,大連,116024;大連理工大學三束材料改性國家重點實驗室,遼寧,大連,116024;大連理工大學三束材料改性國家重點實驗室,遼寧,大連,116024;
【刊名】真空
【英文刊名】VACUUM
【年卷期】2004Vol.41No.01
【關鍵詞】金剛石;電子發射
【摘要】介紹了幾種碳基材料的場發射特性及其發射模型。金剛石表面具有較低的或負的電子親和勢,因無法實現N型摻雜,難以用作電子發射材料。類金剛石膜及非晶碳膜材料經過"激活"後在表面形成具有較大場增強因子的熔坑,在幾~幾十V/μm的低閾值電場下得到非本征的電子發射,納米結構的碳和碳納米管本身具有較大的場增強因子,是較有前途的平面陰極場發射材料。碳基材料的導電性不同,遵循的發射模型不同。

新型納米功能材料
【論文題名】新型納米功能材料
【英文題名】Nano-functionthinfilms
【作者】吳錦雷劉惟敏張琦鋒趙興鈺高崧侯士敏申自勇宋教花張耿民邢英傑奚中和薛增泉
【作者單位】北京大學電子學系,北京,100871;北京大學電子學系,北京,100871;北京大學電子學系,北京,100871;北京大學電子學系,北京,100871;北京大學電子學系,北京,100871;北京大學電子學系,北京,100871;北京大學電子學系,北京,100871;北京大學電子學系,北京,100871;北京大學電子學系,北京,100871;北京大學電子學系,北京,100871;北京大學電子學系,北京,100871;北京大學電子學系,北京,100871;
【刊名】真空
【英文刊名】VACUUM
【年卷期】2004Vol.41No.01
【關鍵詞】納米薄膜;氧化鋅納米棒;金屬納米線陣列
【摘要】討論了納米材料復合薄膜的結構和特性,涉及到與力學、防護、電池等特性有關的結構,重點分析了電學、光學、光電特性,如新型納米線復合光電池,氧化鋅(ZnO)納米棒陣列的結構和熒光發射,以及金屬納米線陣列的制備和場發射特性。金屬納米線陣列場發射的高分辨,結構完美,工藝簡單和極低的成本,有可能是未來平板顯示器的重要組件。

用探孔場發射顯微鏡研究單壁碳納米管的場發射
【論文題名】用探孔場發射顯微鏡研究單壁碳納米管的場發射
【英文題名】StudyofFieldEmissionfromSingle-WalledCarbonNanotubesUsingProbe-HoleMethod
【作者】薛增泉劉惟敏顧鎮南趙興鈺侯士敏金新喜張耿民張兆祥
【作者單位】北京大學信息科學技術學院電子學系,北京,100871;北京大學信息科學技術學院電子學系,北京,100871;北京大學信息科學技術學院電子學系,北京,100871;北京大學信息科學技術學院電子學系,北京,100871;北京大學信息科學技術學院電子學系,北京,100871;北京大學化學工程與分子學院,北京,100871;北京大學信息科學技術學院電子學系,北京,100871;北京大學信息科學技術學院電子學系,北京,100871;
【刊名】電子學報
【英文刊名】ACTAELECTRONICASINICA
【年卷期】2003Vol.31No.11
【關鍵詞】場發射;場發射顯微鏡;單壁碳納米管
【摘要】探孔場發射顯微鏡可以觀測樣品的場發射圖像,又能測量局域場發射電流和總場發射電流與電壓的關繫。本文利用具有二維調節探孔位置的場發射顯微鏡裝置測量了單壁碳納米管場發射圖像不同區域、不同吸附狀態和經過熱處理後的I-V特性。

最佳碳納米管場發射陰極陣列密度的研究
【論文題名】最佳碳納米管場發射陰極陣列密度的研究
【英文題名】StudyontheOptimumDensityofCarbonNanotubeFieldEmissionCathodeArrays
【作者】張曉兵雷威張宇寧周雪東
【作者單位】東南大學電子工程繫,南京,210096;東南大學電子工程繫,南京,210096;東南大學電子工程繫,南京,210096;東南大學電子工程繫,南京,210096;
【刊名】電子器件
【英文刊名】CHINESEJOURNALOFELECTRONDEVICES
【年卷期】2003Vol.26No.4
【關鍵詞】碳納米管陰極陣列;最佳密度
【摘要】碳納米管(CNT)作為理想的場發射陰極材料。它在場發射陰極陣列中的密度與陰極的場發射性能有著非常密切的關繫。本文通過模擬計算找出了最佳碳納米管場發射陰極陣列密度,並通過實驗進行了驗證。實驗證實濃度為2。5%的碳納米管漿料制得的陰極有最佳的陣列密度。

最佳碳納米管場發射陰極陣列密度的研究
【論文題名】最佳碳納米管場發射陰極陣列密度的研究
【英文題名】StudyontheOptimumDensityofCarbonNanotubeFieldEmissionCathodeArrays
【作者】張曉兵雷威張宇寧周雪東
【作者單位】東南大學電子工程繫,南京,210096;東南大學電子工程繫,南京,210096;東南大學電子工程繫,南京,210096;東南大學電子工程繫,南京,210096;
【刊名】電子器件
【英文刊名】CHINESEJOURNALOFELECTRONDEVICES
【年卷期】2003Vol.26No.4
【關鍵詞】碳納米管陰極陣列;最佳密度
【摘要】碳納米管(CNT)作為理想的場發射陰極材料。它在場發射陰極陣列中的密度與陰極的場發射性能有著非常密切的關繫。本文通過模擬計算找出了最佳碳納米管場發射陰極陣列密度,並通過實驗進行了驗證。實驗證實濃度為2。5%的碳納米管漿料制得的陰極有最佳的陣列密度。

基於絲網印刷大面積碳納米管陰極場發射的研究
【論文題名】基於絲網印刷大面積碳納米管陰極場發射的研究
【英文題名】StudytoLargeAreaScreenPrintingCathodeofCarbonNanotube
【作者】史永勝朱長純王琪琨
【作者單位】西安交通大學電子與信息工程學院,710049,西安;西安交通大學電子與信息工程學院,710049,西安;西安交通大學電子與信息工程學院,710049,西安;
【刊名】西安交通大學學報
【英文刊名】JOURNALOFXI'ANJIAOTONGUNIVERSITY
【年卷期】2003Vol.37No.12
【關鍵詞】碳納米管陰極;發射均勻性;絲網印刷
【摘要】針對碳納米管(CNT)陰極場發射均勻性這一關鍵難題,根據CNT場發射理論制備了一種新型碳納米管陰極印刷漿料。實驗表明:質量分數約為20%的純化CNT與4。2%的導電氧化物粘接材料混合形成的印刷漿料,其陰極具有較佳的發射均勻特性。用絲網印刷技術制作成的大面積(對於線長度大於12。5cm)陰極,再經過快速燒結技術及兩步後處理工藝,既能除掉粘接材料又能使CNT很好地與襯底固定,並使碳納米管部分直立和充分暴露,進一步改善了發射均勻性。該均勻發射的陰極開啟場為2。0V/μm,在電場強度為2。5V/μm下,電流密度為35mA/mm2,發光亮度為300cd/m2,場發射電流穩定,其波動性小於4。5%。該陰極可望應用於場致發射顯示器,液晶顯示的背光源、電光源等器件。

碳納米管場發射特性研究
【論文題名】碳納米管場發射特性研究
【英文題名】ResearchontheFieldEmissionPropertiesofCarbonNanotubes
【作者】田進壽李冀王俊鋒楊勤勞牛憨笨
【作者單位】中國科學院西安光學精密機械研究所,西安,710068;深圳大學光電子學研究所,廣東省光電子器件與繫統重點實驗室,廣東,深圳,518060;中國科學院研究生院,北京,100039;深圳大學光電子學研究所,廣東省光電子器件與繫統重點實驗室,廣東,深圳,518060;中國科學院西安光學精密機械研究所,西安,710068;深圳大學光電子學研究所,廣東省光電子器件與繫統重點實驗室,廣東,深圳,518060;中國科學院西安光學精密機械研究所,西安,710068;深圳大學光電子學研究所,廣東省光電子器件與繫統重點實驗室,廣東,深圳,518060;
【刊名】光子學報
【英文刊名】ACTAPHOTONICASINICA
【年卷期】2003Vol.32No.12
【關鍵詞】Fowler-Nordheim理論;碳納米管;場增強因子;功函數
【摘要】從Fowler-Nordheims理論出發,對實驗中測得的碳管場發射中ln(I/V2)~1/V並不是嚴格的線性關繫進行了分析,認為主要是碳管吸附態(主要是水蒸氣)的改變引起有效功函數改變,同時隨著發射電流的增大,個別較長碳管表面的突起在殘餘氣體離子轟擊下變得平滑甚至縮短,熱熔化也可能造成碳管縮短。另一方面,隨著電場強度的增大,較短碳管的場發射對總發射電流的貢獻也相對提升。這些因素都會造成場發射中F-N曲線的斜率發生改變。

一種基於碳管場發射顯示器結構分析
【論文題名】一種基於碳管場發射顯示器結構分析
【英文題名】StructuralAnalysisonaFieldEmissionDisplayPanelBasedonCarbonNanotubes
【作者】田進壽李冀許蓓蕾牛憨笨
【作者單位】中國科學院西安光學精密機械研究所,中科院研究生院,陝西,西安,710068;深圳大學光電子學研究所,廣東省光電子器件與繫統重點實驗室,廣東,深圳,518060;深圳大學光電子學研究所,廣東省光電子器件與繫統重點實驗室,廣東,深圳,518060;中國科學院西安光學精密機械研究所,中科院研究生院,陝西,西安,710068;深圳大學光電子學研究所,廣東省光電子器件與繫統重點實驗室,廣東,深圳,518060;中國科學院西安光學精密機械研究所,中科院研究生院,
陝西,西安,710068;深圳大學光電子學研究所,廣東省光電子器件與繫統重點實驗室,廣東,深圳,518060;
【刊名】光子學報
【英文刊名】ACTAPHOTONICASINICA
【年卷期】2003Vol.32No.11
【關鍵詞】邊界元法;MonteCarlo方法;電子傳輸比;平面型場發射顯示器
【摘要】用邊界元法(BEM)和MonteCarlo方法就一種基於碳納米管場發射大面積彩色平面型顯示器的可行性進行了理論分析,通過模擬跟蹤發射電子軌跡,證實設計的顯示器結構能夠滿足高分辨率顯示的要求,而且驅動電壓低、工藝簡單,尤其和日本Cannon公司的M。Okuda等人提出的表面傳導型場發射顯示器結構相比,其電子傳輸比有大幅度的提高。

ITO薄膜的光電發射效應
【論文題名】ITO薄膜的光電發射效應
【英文題名】ThePhotoelectricEmissionEffectfortheTransparentITOThinFilm
【作者】趙守珍謝寶森梁翠果
【作者單位】南開大學信息技術科學學院電子科學與技術繫,天津,300071;南開大學信息技術科學學院電子科學與技術繫,天津,300071;南開大學信息技術科學學院電子科學與技術繫,天津,300071;
【刊名】光電子技術
【英文刊名】OPTOELECTRONICTECHNOLOGY
【年卷期】2003Vol.23No.2
【關鍵詞】ITO透明薄膜;銫原子;光電發射特性
【摘要】作為導電電極材料ITO透明薄膜被廣泛應用於攝像管、場致發射板、等離子體顯示及液晶顯示器件中。通過實驗我們發現被銫激活後的ITO薄膜具有光電發射效應。本文報告了實驗的基本過程及對ITO-Cs薄膜光電發射特性的測試結果。ITO-Cs薄膜的光電發射特性對大面積的光電器件、平板顯示器件的發展會有很大的促進作用。

場致發射尖陣列的研制
【論文題名】場致發射尖陣列的研制
【英文題名】PreparationofField-EmissionSiliconTipArrays
【作者】吳海霞仲順安李文雄邵雷魯雪峰
【作者單位】北京理工大學,信息科學技術學院電子工程繫,北京,100081;北京理工大學,信息科學技術學院電子工程繫,北京,100081;北京理工大學,信息科學技術學院電子工程繫,北京,100081;北京理工大學,信息科學技術學院電子工程繫,北京,100081;北京理工大學,信息科學技術學院電子工程繫,北京,100081;
【刊名】北京理工大學學報
【英文刊名】TRANSACTIONSOFBEIJINGINSTITUTEOFTECHNOLOGY
【年卷期】2003Vol.23No.5
【關鍵詞】真空微電子器件;濕法腐蝕;場致發射陰極陣列;尖
【摘要】研究真空微電子器件場致發射尖陣列的制作工藝。利用HNA濕法腐蝕工藝制作場致發射尖陣列,比較帶膠腐蝕與不帶膠腐蝕的不同。采用氧化削尖技術對尖進行銳化處理。制作了50×60尖陣列,同時給出了尖陣列的I-V特性。利用HNA濕法腐蝕制備的尖結構與理論分析一致,銳化處理改善了尖陰極陣列的場致發射特性。

碳納米管場致發射顯示器支撐牆配置的優化設計
【論文題名】碳納米管場致發射顯示器支撐牆配置的優化設計
【英文題名】OptimizationDesignofSpacerConfigurationforCarbonNanotubeFieldEmissionDisplay
【作者】史永勝朱長純
【作者單位】西安交通大學電子與信息工程學院,710049,西安;西安交通大學電子與信息工程學院,710049,西安;
【刊名】西安交通大學學報
【英文刊名】JOURNALOFXI'ANJIAOTONGUNIVERSITY
【年卷期】2003Vol.37No.10
【關鍵詞】場致發射顯示器;有限元方法;優化設計;支撐牆
【摘要】采用梯度法對大屏幕碳納米管場致發射顯示器的支撐牆密度進行了優化設計。以支撐牆相鄰間距、支撐牆的長度和寬度作為優化設計參數,預先設定的面板應力以及應變值作為目標函數,利用ANSYS有限元分析軟件進行結構分析,其最佳分析結果變形值為0。487×10-5m,應力值為0。167×107Pa。為了驗證分析結果,制作了一個12。7cm碳納米管場致發射顯示器樣品,測量屏面板垂直方向的應變值,並與計算值對比分析,實驗結果與計算分析結果吻合得較好。將優化結果與其他模擬結果比較對比可知,該優化方法能節約支撐牆制造成本30%以上,表明該優化設計方法對顯示器支撐牆設計是有效的。該方法還適合其他真空器件及各種不同尺寸的真空顯示器結構設計。

場致發射的研究進展
【論文題名】場致發射的研究進展
【英文題名】TheDevelopmentofFieldEmissionResearch
【作者】蔣學華
【作者單位】臨沂師範學院,物理繫,山東,臨沂,276005;
【刊名】南陽師範學院學報(自然科學版)
【英文刊名】JOURNALOFNANYANGTEACHERS'COLLEGE(NATURALSCIENCESEDITION)
【年卷期】2003Vol.2No.9
【關鍵詞】場致發射;金屬場致發射;場致發射;金剛石場致發射;類金剛石場致發射
【摘要】介紹了場致發射顯示器的工作原理,場致發射面臨的主要問題,不同材料的場致發射研究概況,並對場致發射的顯示器的前景作了簡要的展望。

光電平板顯示器的研制
【論文題名】光電平板顯示器的研制
【英文題名】TheInvestigationandPreparationofthePhotoelectricFlatDisplayDevice
【作者】趙守珍謝寶森梁翠果常祿商伯涵周清熊光楠李嵐鄒開順

【作者單位】南開大學信息技術科學學院電子科學與技術繫
【刊名】光電子技術
【英文刊名】OPTOELECTRONICTECHNOLOGY
【年卷期】2003Vol.23No.3
【關鍵詞】場發射顯示;光電平板顯示器
【摘要】報告了我們設計、研制的一種新型光電平板顯示器。它由光平面電子源、XY掃描控制板、微通道板及熒光屏組成。實際測量了顯示器發光亮度隨激發電流、激發電壓的變化關繫。結果表明這種新型的光電平板顯示器是可行的。

碳氮納米管薄膜及其場致電子發射特性
【論文題名】碳氮納米管薄膜及其場致電子發射特性
【英文題名】CarbonNitrideNanotubeThinFilmandItsFieldEmissionProperties
【作者】張蘭馬會中姚寧楊仕娥邊超胡歡陵張兵臨
【作者單位】鄭州大學工程力學系,
【刊名】光電子‧激光
【英文刊名】JOURNALOFOPTOELECTRONICS‧LASER
【年卷期】2003Vol.14No.8
【關鍵詞】微波等離子體增強化學氣相沉積;碳氮納米管;場致電子發射
【摘要】利用微波等離子體增強化學氣相沉積技術,在玻璃襯底上600℃~650℃的低溫下制備出了碳氮納米管薄膜,氮含量為12%,采用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線光電子譜(XPS)和Raman光譜等測試手段對所制備薄膜的表面形貌、微結構和成分進行了分析,並研究了其場致電子發射特性,閾值電場為3。7V/μm。當電場為8V/μm時,電流密度為413。3μA/cm2。實驗表明該薄膜具有優異的場發射性能,而且用這種方法制備的薄膜將大大簡化平板顯示器件的制作工藝。

定向碳納米管薄膜的制備及其場發射性能的研究
【論文題名】定向碳納米管薄膜的制備及其場發射性能的研究
【英文題名】FabricationofAlignedCarbonNanotubeFilmsandItsFieldEmissionProperties
【作者】孫明岩車仁超陳清
【作者單位】北京大學電子學系,北京,100871;中國科學院物理研究所,北京,100084;北京大學電子學系,北京,100871;
【刊名】材料工程
【英文刊名】JOURNALOFMATERIALSENGINEERING
【年卷期】2003No.8
【關鍵詞】碳納米管;高溫裂解法;場發射
【摘要】利用高溫裂解法,以菁鐵為原料在不同基底(石英玻璃、片、氧化片等)上成功制備了碳納米管定向薄膜。在掃描電鏡(SEM)和透射電鏡(TEM)下觀察表明,得到的薄膜由定向性良好的多壁碳納米管(MWNTs)組成。詳細討論了反應時間等工藝參數對薄膜生長的影響,並測量了不同基底上定向碳納米管薄膜的場發射性質。

三色碳納米管場發射燈的研制
【論文題名】三色碳納米管場發射燈的研制
【英文題名】DevelopmentofThree-ColorCarbonNanotubeFieldEmissionLight
【作者】馮濤李瓊張繼華於偉東柳襄懷王曦徐靜芳鄒世昌
【作者單位】中國科學院上海微繫統與信息技術研究所
【刊名】半導體學報
【英文刊名】CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTORS
【年卷期】2003Vol.24No.z1
【關鍵詞】碳納米管;場發射;絲網印刷法;氫等離子體表面處理
【摘要】報道了以粉末狀碳納米管為原料用絲網印刷法制備圖形化的碳納米管陰極的技術。采用熱處理和氫等離子體表面處理方法提高了絲網印刷法制備的碳納米管陰極的場發射性能,處理後陰極的閾值場強從4V/μm降到~1V/μm,場發射電流密度在4。5V/μm時達到了2。53mA/cm2,發射點密度從~103/cm2增加到~105/cm2。在此基礎上,成功地設計和封裝了三極管結構的三色高亮度碳納米管場發射燈器件。

碳納米管的場發射特性
【論文題名】碳納米管的場發射特性
【英文題名】PropertiesofCarbonNanotubeFieldEmission
【作者】陳紹鳳夏善紅宋青林胡平安劉雲圻朱道本
【作者單位】中國科學院電子學研究所,傳感技術國家重點實驗室,北京,100080;中國科學院電子學研究所,傳感技術國家重點實驗室,北京,100080;中國科學院電子學研究所,傳感技術國家重點實驗室,北京,100080;中國科學院化學研究所,分子科學中心,北京,100080;中國科學院化學研究所,分子科學中心,北京,100080;中國科學院化學研究所,分子科學中心,北京,100080;
【刊名】半導體學報
【英文刊名】CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTORS
【年卷期】2003Vol.24No.z1
【關鍵詞】碳納米管;場致發射;一致性
【摘要】研究了碳納米管的場致發射特性,實驗證明碳納米管作為場發射陰極材料具有優越性。通過對碳納米管進行溫度處理,得到了與基片附著力強的碳納米管;測試了場發射特性,發現碳納米管其開啟電壓較低(30V)。

外延納米金剛石膜及其場發射特性
【論文題名】外延納米金剛石膜及其場發射特性
【英文題名】FieldEmissionPropertiesofEpitaxialDiamondFilm
【作者】王維彪顧長志紀紅彭紅艷趙海峰張傳平
【作者單位】中國科學院,長春光學精密機械與物理研究所,激發態物理重點實驗室,吉林,長春,130021;吉林大學,超硬材料國家重點實驗室,吉林,長春,130023;吉林大學,超硬材料國家重點實驗室,吉林,長春,130023;吉林大學,超硬材料國家重點實驗室,吉林,長春,130023;中國科學院,長春光學精密機械與物理研究所,激發態物理重點實驗室,吉林,長春,130021;中國科學院,長春光學精密機械與物理研究所,激發態物理重點實驗室,吉林,長春,130021;
【刊名】液晶與顯示
【英文刊名】CHINESEJOURNALOFLIQUIDCRYSTALSANDDISPLAYS
【年卷期】2003Vol.18No.3
【關鍵詞】納米金剛石;外延;場發射
【摘要】研究了納米金剛石外延薄膜的制備方法及其場發射特性。采用電泳方法將粒徑20nm以下的納米金剛石微晶沉積到Ti電極襯底上,用熱絲CVD方法在納米金剛石微晶薄膜上再外延生長一層含非晶碳金剛石薄膜。用Raman光譜研究了外延納米金剛石薄膜的結構並在高真空條件下研究了其場發射特性。

氫等離子體處理--一種有效提高碳納米管場發射性能的方法
【論文題名】氫等離子體處理--一種有效提高碳納米管場發射性能的方法
【英文題名】HydrogenPlasmaProcess:AnEffectiveMethodtoModifyFieldEmissionPerformanceofCarbonNanotubes
【作者】張繼華馮濤於偉東王曦柳湘懷
【作者單位】中國科學院上海微繫統與信息技術研究所粒子束重點實驗室,上海市長寧路865號,200050;中國科學院上海微繫統與信息技術研究所粒子束重點實驗室,上海市長寧路865號,200050;中國科學院上海微繫統與信息技術研究所粒子束重點實驗室,上海市長寧路865號,200050;中國科學院上海微繫統與信息技術研究所粒子束重點實驗室,上海市長寧路865號,200050;中國科學院上海微繫統與信息技術研究所粒子束重點實驗室,上海市長寧路865號,200050;
【刊名】光散射學報
【英文刊名】CHINESEJOURNALOFLIGHTSCATTERING
【年卷期】2003Vol.15No.1
【關鍵詞】碳納米管;場發射;氫等離子體處理
【摘要】研究了經氫等離子體處理後多壁碳納米管的場發射性能。測量了處理前後樣品的電流電壓特性和表面形貌。結果表明經氫等離子體處理後,發射性能明顯改善,發射點密度由未經處理的104/cra2提高到106/cm2。發現了一種新的碳納米管結構,稱之為多結的碳納米管,並討論了樣品發射性能提高的可能機理。這種處理提供了一種有效提高發射點密度和基於碳納米管的平板顯示器性能的方法,非常適用於低成本大面積場發射陰極的制作。

納米薄膜材料在場發射壓力傳感器研制中的應用
【論文題名】納米薄膜材料在場發射壓力傳感器研制中的應用
【作者】廖波謝君堂仲順安王靜靜張大成李婷郝一龍羅葵
【作者單位】北京理工大學信息科學技術學院,北京,100081;北京理工大學信息科學技術學院,北京,100081;北京理工大學信息科學技術學院,北京,100081;北京理工大學信息科學技術學院,北京,100081;北京大學微電子中心,北京,100871;北京大學微電子中心,北京,100871;北京大學微電子中心,北京,100871;北京大學微電子中心,北京,100871;
【刊名】中國科學E輯
【英文刊名】SCIENCEINCHINA(SERIESE)
【年卷期】2003Vol.33No.3
【關鍵詞】納米薄膜場發射壓力傳感器場發射特性
【摘要】設計研制了一種基於量子隧道效應機制的場發射壓力傳感器原型器件,用CVD技術制備了粒徑為3~9nm,厚度為30~40nm的納米薄膜,並同時把這種低維材料引入到傳感器陰極發射尖錐的制作,形成納米薄膜為實體的發射體結構。用HREM及TED分析了納米態的顯微特性,用場發射掃描電子顯微鏡SEM分析了發射體及陣列的微觀結構,用HP4145B晶體管參數測試儀考察了傳感器件的場發射特性。實驗結果表明,當外加電場為5。6×105V/m時,器件有效區域發射電流密度可達53。5A/m2。

FED的新材料--碳微管薄膜
【論文題名】FED的新材料--碳微管薄膜
【英文題名】TheNewMaterialforFED--CarbonNanotubeFilm
【作者】季旭東
【作者單位】華東電子集團公司,南京,210028;
【刊名】光電子技術
【英文刊名】OPTOELECTRONICTECHNOLOGY
【年卷期】2003Vol.23No.1
【關鍵詞】場致發射顯示;場致發射陣列;碳微管;薄膜;性能
【摘要】介紹了一種制作FED器件的新材料--碳微管薄膜,並對其制作、性能作了說明。

納米碳管陰極的場致發射顯示研究
【論文題名】納米碳管陰極的場致發射顯示研究
【英文題名】Studyoffieldemissiondisplayofcarbonnanotubesfilm
【作者】李俊濤雷威張曉兵王琦龍李玲珍鄭剛
【作者單位】東南大學電子工程繫,南京,210096;東南大學電子工程繫,南京,210096;東南大學電子工程繫,南京,210096;東南大學電子工程繫,南京,210096;東南大學電子工程繫,南京,210096;東南大學電子工程繫,南京,210096;
【刊名】東南大學學報(自然科學版)
【英文刊名】JOURNALOFSOUTHEASTUNIVERSITY(NATURALSCIENCEEDITION)
【年卷期】2003Vol.33No.2
【關鍵詞】納米碳管;場發射實驗;冷陰極
【摘要】以熱化學氣相沉積法制備的多壁納米碳管為場發射材料,采用一種簡易的噴塗法將其制備為場發射陰極。首先,將純化後的納米碳管與乙醇和丙酮溶液(體積比為9︰1)進行混合;然後用噴槍將經過超聲處理的懸濁液噴塗在具有ITO薄膜的玻璃基底上,制備了30mm×20mm大小的納米碳管陰極,並進行了場致發射特性實驗,制作了場發射顯示板。該二極結構的場發射開啟場強為3。2V/μm,發射電流密度可達3A/m2。此顯示板具有穩定的發射電流和很高的亮度,可望應用於大屏幕顯示。

碳納米管的薄膜場發射
【論文題名】碳納米管的薄膜場發射
【英文題名】FieldEmissionofCarbonNanotubeFilm
【作者】張兆祥張耿民侯士敏劉惟敏趙興鈺薛增泉
【作者單位】北京大學電子學系,北京,100871;北京大學電子學系,北京,100871;北京大學電子學系,北京,100871;北京大學電子學系,北京,100871;北京大學電子學系,北京,100871;北京大學電子學系,北京,100871;
【刊名】真空科學與技術學報
【英文刊名】VACUUMSCIENCEANDTECHNOLOGY
【年卷期】2003Vol.23No.1
【關鍵詞】CNT薄膜場發射制備工藝
【摘要】薄膜場發射特性是碳納米管(CNT)研究的重要課題之一,它直接關繫到CNT場發射陰極在將來的實際應用。本文就CNT的場發射做一綜合評述,主要涉及性能指標、結構模型、圖形化方法和工藝等。

三極碳納米管場發射顯示屏的制作研究
【論文題名】三極碳納米管場發射顯示屏的制作研究
【英文題名】StudyontheFabricationofTriodeFieldEmissionPanelwithCarbonNanotubesEmitters
【作者】李玉魁朱長純
【作者單位】西安交通大學,陝西,西安,710049;西安交通大學,陝西,西安,710049;
【刊名】電子元件與材料
【英文刊名】ELECTRONICCOMPONENTS&MATERIALS
【年卷期】2003Vol.22No.3
【關鍵詞】碳納米管;場致發射;顯示屏;三極結構
【摘要】利用碳納米管作為陰極材料的場致發射顯示屏是一種新型的平板器件。介紹了三極結構碳納米管場致發射顯示屏的工作原理,基本結構以及尋址方式。重點討論了在制作器件方面所存在的真空封裝問題,熒光粉制作問題以及絕緣隔離層問題。在提出一種新型結構柵極制作工藝的基礎上,成功地制作了三極碳納米管場發射顯示屏器件。

碳納米管場致發射結構的研究
【論文題名】碳納米管場致發射結構的研究
【英文題名】StudyoftheFieldEmissionStructureofCarbonNanotubes
【作者】李俊濤雷威
【作者單位】東南大學,電子工程繫,江蘇,南京,210096;東南大學,電子工程繫,江蘇,南京,210096;
【刊名】真空電子技術
【英文刊名】VACUUMELECTRONICS
【年卷期】2003No.1
【關鍵詞】冷陰極;納米碳管;場致發射
【摘要】碳納米管以其特有的電學性質而成為一種優良的冷陰極材料。在場致發射器件中,真空度是決定發射穩定性的一個重要因素。如果碳納米管陰極附近的真空度太低,將產生打火、氣體電離、離子回轟陰極等問題,將導致陰極發射電流的迅速衰減。本文通過對基於碳納米管冷陰極的二極管和三極管的場發射特性的實驗,分析了殘餘氣體壓強與外加電壓、發射體工作時間的關繫以及碳納米管陣列的I-E曲線,利用這些結果可以優化碳納米管場致發射結構的設計。

納米厚度氮化硼薄膜的場發射特性
【論文題名】納米厚度氮化硼薄膜的場發射特性
【英文題名】FieldEmissionCharacteristicsofBNThinFilmswithNanometerThickness
【作者】顧廣瑞李英愛陶艷春何志殷紅李衛青趙永年
【作者單位】吉林大學,超硬材料國家重點實驗室,吉林,長春,130023;延邊大學,理工學院,吉林,延吉,133002;吉林大學,超硬材料國家重點實驗室,吉林,長春,130023;吉林大學,超分子結構和譜學開放實驗室,吉林,長春,130023;吉林大學,超硬材料國家重點實驗室,吉林,長春,130023;吉林大學,超硬材料國家重點實驗室,吉林,長春,130023;吉林大學,超硬材料國家重點實驗室,吉林,長春,130023;吉林大學,超硬材料國家重點實驗室,吉林,長春,130023;吉林大學,超分子結構和譜學開放實驗室,吉林,長春,130023;
【刊名】液晶與顯示
【英文刊名】CHINESEJOURNALOFLIQUIDCRYSTALSANDDISPLAYS
【年卷期】2003Vol.18No.1
【關鍵詞】納米氮化硼薄膜;場發射;厚度;功函數
【摘要】利用射頻磁控濺射方法,在n型(100)Si基底上沉積了不同厚度(54~135nm)的納米氮化硼(BN)薄膜。紅外光譜分析表明,BN薄膜結構為六角BN(h-BN)相(1380cm-1和780cm-1)。在超高真空繫統中測量了不同膜厚BN薄膜的場發射特性,發現BN薄膜的場發射特性與膜厚關繫很大,閾值電場隨著厚度的增加而增大。由於BN薄膜和Si基底界面間存在功函數差,使得Si基底中電子轉移到BN薄膜的導帶,在外電場作用下隧穿BN表面勢壘,發射到真空。

發射型顯示器(FED) 最新進展 (大陸專利 1996~ 2004)
最近資料搜尋日期:2004/07/19
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【名稱】場致發射顯示器
【公開號】1136215【公開日】1996.11.20
【主分類號】H01J31/10【分類號】H01J31/10;H01J29/04;H01J1/30
【申請號】96101460.1
【分案原申請號】【申請日】1996.02.28
【申請人】社團法人高等技術研究院研究組合【地址】韓國漢城
【發明人】鄭唬洙;趙永來;吳在烈;文齊道【國際申請】
【國際公佈】【進入國家日期】
【專利代理機構】柳沈知識產權律師事務所【代理人】黃敏
【摘要】本發明描述基於平板顯示器的場致發射陰極新結構。它包括一個主空間一個所附的附加空間,後者的容積比主空間的大。在這種結構中,能夠比較容易地實現場致發射顯示器(???)容積的抽空。在附加腔內還可包含真空吸氣劑,以消除在密封處理之後的壓力增加以及可在該場致發射顯示器(???)的整個壽命期內保持高真空。


【名稱】場致發射顯示器及其製造方法
【公開號】1177198【公開日】1998.03.25
【主分類號】H01J31/10【分類號】H01J31/10
【申請號】97115316.7
【分案原申請號】【申請日】1997.08.01
【申請人】摩托羅拉公司【地址】美國伊利諾斯
【發明人】勞倫斯‧?‧德沃斯基;迪安‧巴克;詹姆斯‧?‧賈斯基;羅納德‧?‧彼德森;羅伯特‧?‧史密斯【國際申請】
【國際公佈】【進入國家日期】
【專利代理機構】中國國際貿易促進委員會專利商標事務所【代理人】陸立英
【摘要】
一個場致發射顯示器以及製造該顯示器的一種方法已被公開。該場致發射顯示器包括一個具有多個陰極射線發光沉積物的陽極,一個包括具有多個場致發射體,並被固定到陰極加固構件上的一個陰極的後面板,以及多個被配置在陽極和陰極之間,並密封地固定到其上的側面構件。陽極和後面板的厚度足以提供所需要的結構支持來維持該場致發射顯示器的機械的完整性。


【名稱】帶有機械支持/吸氣劑裝置的場發射顯示器及其製造方法
【公開號】1216147【公開日】1999.05.05
【主分類號】H01J1/88【分類號】H01J1/88
【申請號】98800061.X
【分案原申請號】【申請日】1998.01.08
【申請人】摩托羅拉公司【地址】美國伊利諾斯
【發明人】克萊格‧阿姆萊恩;克裡福德‧L‧安德森;羅納德‧O‧彼德森【國際申請】PCT/US98/0025498.1.8
【國際公佈】WO98/39788英98.9.11【進入國家日期】1998.09.24
【專利代理機構】中國國際貿易促進委員會專利商標事務所【代理人】王永剛
【摘要】一種場發射顯示器,它包括陰極板(410)、陽極板(430)以及排列在陰極板(410)和陽極板(430)之間的機械支持/吸氣劑裝置(300)。機械支持/吸氣劑裝置(300)包括由光敏玻璃製成的整體式隔板/框架裝置(310)。製造機械支持/吸氣劑裝置(300)的方法包括下列步驟:將光敏玻璃層(100)的隔板間區域(110)和吸氣劑框架區域(120)選擇性地暴露於紫外輻照,對層(100)進行加熱以便使紫外輻照區結晶,借助於使層(100)與酸接觸而清除結晶的隔板間區域(110)並部分地清除結晶的吸氣劑框架區域,從而形成隔板肋(314)和吸氣劑區(322)。此法還包括在隔板區(322)上提供吸氣劑框架(320)。


【名稱】具有納米結構發射體的場發射器件
【公開號】1226337【公開日】1999.08.18
【主分類號】H01J1/30【分類號】H01J1/30
【申請號】96180399.1
【分案原申請號】【申請日】1996.08.19
【申請人】美國3M公司【地址】美國明尼蘇達州
【發明人】M‧K‧德比【國際申請】PCT/US96/1337396.8.19
【國際公佈】WO97/45854英97.12.4【進入國家日期】1999.01.28
【專利代理機構】上海專利商標事務所【代理人】李玲
【摘要】一種包括一層設置在基板一個或多個表面中至少一部分上的分立固體微結構密集陣列的電極的電子場發射顯示器,微結構的面積個數密度大於10#+[7]/cm#+[2],微結構分別共形地外覆一層或多層電子發射材料,外覆電子發射材料設置在微結構的至少一部分上,其表面形貌顯現納米級凹凸不平。還揭示一種制備本發明中所使用電極的方法。


【名稱】線場發射顯示器
【公開號】1301396【公開日】2001.06.27
【主分類號】H01J1/30【分類號】H01J1/30
【申請號】99804293.5
【分案原申請號】【申請日】1999.03.22
【申請人】韓國科學技術院【地址】韓國大田市
【發明人】曹圭亨;丁南聲;蔡均;柳泰夏;弘鐘運;柳承卓;金榮基【國際申請】PCT/KR99/001251999.3.22
【國際公佈】WO99/49492英1999.9.30【進入國家日期】2000.09.21
【專利代理機構】中科專利商標代理有限責任公司【代理人】王仲賢
【摘要】本發明涉及一種扁平平板式場發射顯示器,其單元結構採用平面陰極結構,而不是傳統的微尖結構,從而可提高集成度並且可以在低工作電壓情況下以高速工作。根據該結構,在陰極的下面形成一槽絕緣體並且一柵極設置在槽絕緣體的下面。通過柵極電壓可對由陰極的電子發射進行控制。採用該結構可簡化製造工藝,並可以非常簡便地實現電極間的間隔控制,因而此種顯示器適用於從小屏幕到大屏幕顯示的幾乎所有視頻系統。


【申請號】99807388.1
【分案原申請號】【申請日】1999.06.17
【申請人】摩托羅拉公司【地址】美國伊利諾斯
【發明人】羅伯特‧C‧魯堡;羅伯特‧T‧史密斯;約翰‧特魯吉羅;謝成鋼(音譯);斯科特‧V‧約漢森;科蒂斯‧D‧莫耶爾;戴維‧M‧賴斯【國際申請】PCT/US99/136721999.6.17
【國際公佈】WO99/66485英1999.12.23【進入國家日期】2000.12.14
【專利代理機構】中國國際貿易促進委員會專利商標事務所【代理人】付建軍
【摘要】場致發射顯示器(100)包括一個有多個電子發射體(114)的陰極板(110)、一個陽極(124)與電勢源(126)相連的陽極板(122)以及一個具有輸入(106)和輸出(104)的陽極電壓下拉電路(127)。輸出(104)與陽極(124)相連,輸入(106)與電勢源(126)相連。優選情況下,陽極電壓下拉電路(127)可使陽極(124)處的陽極電壓(120)在電子發射體生成放電電流來中和場致發射顯示器中帶正靜電荷的表面(137,138)之前降至地電位。


【名稱】一種提高碳納米管薄膜的場致電子發射性能的方法
【公開號】1349241【公開日】2002.05.15
【主分類號】H01J9/02【分類號】H01J9/02;B82B3/00
【申請號】01132287.X
【分案原申請號】【申請日】2001.11.23
【申請人】中國科學院上海微系統與信息技術研究所
【發明人】馮濤;王曦;柳襄懷;李瓊【國際申請】
【國際公佈】【進入國家日期】
【專利代理機構】上海智信專利代理有限公司【代理人】潘振∴
【摘要】本發明提供一種提高碳納米管薄膜的場致電子發射性能的方法,屬於場發射顯示器領域。其特點是移植法制備的CNT薄膜陰極採用熱處理工藝與等離子體積表面處理工藝;而直接生長法制備的CNT薄膜陰極僅採用等離子體表面處理工藝,等離子體表面處理的工藝參數是功率密度0.1-3W/cm#+[3],處理時間5-60分鐘,採用H#-[2]或含氫的化合物,經本發明提供的方法處理,可使CNT薄膜的電流密度提高3倍,閾值強度降低3倍多,電子發射點密度可提高3個數量級以上且均勻性明顯提高,對移植法生長的薄膜陰極通過二種處理工藝有機結合,全面提高CNT薄膜陰極的場發射性能。


【名稱】碳微管場發射顯示器及其製作方法
【公開號】1405833【公開日】2003.03.26
【主分類號】H01J31/12【分類號】H01J31/12;H01J1/304;H01J29/04
【申請號】01142251.3
【分案原申請號】【申請日】2001.09.20
【申請人】翰立光電股份有限公司【地址】台灣省新竹科學工業園區
【發明人】樊雨心;陳來成【國際申請】
【國際公佈】【進入國家日期】
【專利代理機構】北京三友知識產權代理有限公司【代理人】劉領弟
【摘要】一種碳微管場發射顯示器及其製作方法。為提供一種發光亮度均勻、防止金屬層剝離、確保鋁膜的導電性、避免陽極干擾、有效改善顯示品質的顯示設備及其製作方法,提出本發明,碳微管場發射顯示器包括平行的陰極板及陽極板;陰極板包含玻璃基板、定義形成於玻璃基板表面並定義複數間隔排列的發射區域的陰極層及複數分別長成於陰極層表面各間隔排列電子發射區域中的碳微管結構;本發明製作方法中陰極板的製作方法包括提供玻璃基板;於玻璃基板表面預定區域上定義形成複數個陰極層;於兩相鄰的陰極層的空隙形成的阻隔壁,並令阻隔壁凸出於陰極層表面至預定高度;利用網印技術於各阻隔壁表面形成閘極層;對阻隔壁及閘極層進行高溫燒烤處理。


【名稱】場發射顯示器中發射極的製造方法
【公開號】1407580【公開日】2003.04.02
【主分類號】H01J9/02【分類號】H01J9/02;H05B33/10
【申請號】01130958.X
【分案原申請號】【申請日】2001.08.28
【申請人】翰立光電股份有限公司【地址】台灣省新竹科學工業園區
【發明人】劉文燦;陳來成;樊雨心【國際申請】
【國際公佈】【進入國家日期】
【專利代理機構】北京集佳專利商標事務所【代理人】王學強
【摘要】本發明是有關於一種場發射顯示器中發射極的製造方法,是以錫、鋅、鋁或具有低共熔點的硬焊合金如鋁/硅合金等與含有玻璃料的銀膠混合後網印或是分別網印在基材上作為電極。接著再在電極上形成碳奈米管層,此層可以利用網印方式將電弧方式產生的碳奈米管碳材覆蓋在電極上,也可在電極上形成觸媒層以利於碳奈米管的形成。在碳奈米管碳材形成後將溫度提高至電極中玻璃料的軟化溫度,由玻璃料的軟化增加電極與基材以及碳奈米管碳材之間的附著性,最後形成一層金屬層在碳奈米管上以防止碳奈米管碳材吸附氣體。


【名稱】場發射顯示板及其控制方法
【公開號】1411024【公開日】2003.04.16
【主分類號】H01J31/12【分類號】H01J31/12
【申請號】02138641.2
【分案原申請號】【申請日】2002.11.22
【申請人】東南大學【地址】210096江蘇省南京市四牌樓二號
【發明人】雷威;張小兵【國際申請】
【國際公佈】【進入國家日期】
【專利代理機構】南京經緯專利代理有限責任公司【代理人】沈廉
【摘要】場發射顯示板及其控制方法是一種涉及場發射顯示器件,特別是通過改變場發射顯示板的結構來提高場發射顯示均勻性的方法。它包括一塊前玻璃基板1和後玻璃基板2,在後玻璃基板上設有陰極電極3和設在陰極電極3上並保持電連接的微尖電子發射器4,門電極5設在微尖電子發射器的上方,在門電極5的上方設有與門電極5所在平面平行且並行排列的第一控制電極12,在第一控制電極12上方設有與第一控制電極12所在平面平行且並行排列的第二控制電極13,第一控制電極12與第二控制電極13的排列方向相互垂直,且該兩排電極由介質14或真空隔離,用位於門電極5上方的第一控制電極12和第二控制電極13來控制微尖電子發射器4發的電子是否能夠到達陽極,從而達到控制顯示板某點亮度的作用。


【名稱】具有碳基發射器的場致發射顯示裝置
【公開號】1430241【公開日】2003.07.16
【主分類號】H01J31/12【分類號】H01J31/12;H01J1/304;G09G3/00
【申請號】02143190.6
【分案原申請號】【申請日】2002.09.16
【申請人】三星SDI株式會社【地址】韓國京畿道
【發明人】曹晟豪;金維鐘;李相祚;車在哲;金鐘玟【國際申請】
【國際公佈】【進入國家日期】
【專利代理機構】北京市柳沈律師事務所【代理人】李曉舒;魏曉剛
【摘要】本發明提供了一種場致發射顯示器,其包括第一襯底;以預定圖案形成在第一襯底上的多個柵極電極;形成為在第一襯底的整個表面上覆蓋柵極電極的絕緣層;以預定圖案形成在絕緣層上的多個陰極電極,多個發射器形成在陰極電極上;在距發射器預定距離處形成在絕緣層上並處於電連接柵極電極的狀態下的多個反電極,反電極形成指向發射器的電場;在距離第一襯底預定距離處設置並與第一襯底一起密封成真空狀態的第二襯底;形成在第二襯底的與第一襯底相對的表面上的陽極電極;以及以預定圖案形成在陽極電極上的多個熒光粉層。


【名稱】冷陰極場發射器件和冷陰極場發射顯示器及二者製造方法
【公開號】1447369【公開日】2003.10.08
【主分類號】H01J9/02【分類號】H01J9/02;H01J1/30
【申請號】03124364.9
【分案原申請號】【申請日】2003.03.26
【申請人】索尼公司【地址】日本東京都
【發明人】豐田基博;齋籐一郎;島村敏規;室山雅和【國際申請】
【國際公佈】【進入國家日期】
【專利代理機構】中國專利代理(香港)有限公司【代理人】吳立明;梁永
【摘要】一種用於製造冷陰極場發射器件的方法,包括步驟:形成陰極電極,該陰極電極有在其底部露出支撐件的孔,並由不透射曝光光線的材料構成且沿第一方向延伸;形成由透射曝光光線的感光材料構成的絕緣層;形成由感光材料構成並沿著與第一方向不同的第二方向延伸的柵電極;通過從背表面側曝光形成開口部並露出陰極電極;形成由感光材料構成的電子發射部形成層,通過曝光和顯影在陰極電極上形成電子發射部。


【名稱】場致發射顯示器
【公開號】1447379【公開日】2003.10.08
【主分類號】H01J31/12【分類號】H01J31/12;H01J1/30
【申請號】02132268.6
【分案原申請號】【申請日】2002.09.04
【申請人】LG飛利浦顯示器(韓國)株式會社【地址】韓國慶尚北道
【發明人】鄭唬洙;金警來;全省敃【國際申請】
【國際公佈】【進入國家日期】
【專利代理機構】北京金信聯合知識產權代理有限公司【代理人】吳磊
【摘要】本發明涉及一種陰極射線管用的、採用門場發射器和平板電極的場致發射顯示器。本發明之所以不同於相關發明在於它並不需要隔離片,因此解決了由於安裝隔離片造成的問題,還有由於它的整體板結構以及製造過程被簡化了,使得提高了產量並且降低了成本。


【名稱】場發射顯示器和製造方法
【公開號】1451170【公開日】2003.10.22
【主分類號】H01J29/08【分類號】H01J29/08;H01J9/227
【申請號】01813393.2
【分案原申請號】【申請日?2001.06.13
【申請人】摩托羅拉公司【地址】美國伊利諾斯
【發明人】馬修‧斯坦納;肖恩‧M‧奧魯克【國際申請】PCT/US01/189772001.6.13
【國際公佈】WO02/11172英2002.2.7【進入國家日期】2003.01.27
【專利代理機構】中國國際貿易促進委員會專利商標事務所【代理人】付建軍
【摘要】具有帶磷光體通道(13、14、15)的陽極板(10)的場發射顯示器(30)。通過在襯底(11)上堆積第一層感光膜(58)形成了磷光體通道(13、14、15)。使用紫外線在第一層感光膜(58)中形成條紋圖案。在第一層感光膜(58)上形成了第二層感光膜(59)。使用紫外線在第二層感光膜(59)中形成條紋圖案。第二層感光膜(58)中的條紋大體上垂直於第一層感光膜(59)。對兩層感光膜進行顯影,以形成通道結構。在通道結構中形成磷光體,以形成磷光體通道(13、14、15)。將陽極板(10)耦合到陰極板(31)以形成場發射顯示器(30)。


【名稱】場發射顯示器
【公開號】1457080【公開日】2003.11.19
【主分類號】H01J31/12【分類號】H01J31/12;H01J1/304;H01J29/46
【申請號】03142995.5
【分案原申請號】【申請日】2003.04.12
【申請人】三星SDI株式會社【地址】韓國京畿道
【發明人】李天?;李相祚;崔龍洙;安商赫;李炳坤【國際申請】
【國際公佈】【進入國家日期】
【專利代理機構】北京市柳沈律師事務所【代理人】李曉舒;魏曉剛
【摘要】本發明公開了一種場發射顯示器,其包括彼此相對的第一基板和第二基板,其間具有一預定間隙。該場發射顯示器還包括至少一個形成於第一基板上的柵極電極;形成於第一基板上並覆蓋柵極電極的絕緣層;陰極電極,其形成於絕緣層上並包括暴露相應於像素區域的絕緣層的電場增強區;電子發射源,形成於陰極電極上,臨近電場增強區的至少一邊;以及形成於第二基板上的發光組件,發光組件通過電子發射源發射的電子實現圖像顯示。


【名稱】降低場發射顯示屏調製電壓動態範圍的方法
【公開號】1463026【公開日】2003.12.24
【主分類號】H01J29/46【分類號】H01J29/46;H01J31/12
【申請號】03112819.X
【分案原申請號】【申請日】2003.02.11
【申請人】東南大學【地址】210096江蘇省南京市四牌樓2號
【發明人】張曉兵;雷威【國際申請】
【國際公佈】【進入國家日期】
【專利代理機構】南京經緯專利代理有限責任公司【代理人】沈廉
【摘要】降低場發射顯示屏調製電壓動態範圍的方法涉及場發射器件、場發射顯示器件,特別是通過改變場發射器件的結構來降低場發射調製電壓動態範圍的方法,作為電子通道的孔或槽的電子入口端與電子出口端在介質板的垂直方向錯開一個位移,形成一個斜的孔或槽,使入射電子不能直接通過孔或槽,電子打在孔或槽的壁上產生二次電子,二次電子在調製電極上施加的調製電壓的作用下其通過孔或槽的電子數目受到調製。由於二次電子的能量比較低,通過控制介質表面出口端的電位,可以對發射的電子進行調製,這時的調製電壓的變化範圍將相對於門電極調製的電壓範圍低很多,從而達到降低調製電壓的目的。


【名稱】場發射顯示器件
【公開號】1467777【公開日】2004.01.14
【主分類號】H01J29/04【分類號】H01J29/04;H01J1/304;H01J31/12
【申請號】02147460.5
【分案原申請號】【申請日】2002.10.30
【申請人】鴻富錦精密工業(深圳)有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
【發明人】陳傑良【國際申請】
【國際公佈】【進入國家日期】
【專利代理機構】【代理人】
【摘要】一種場發射顯示器件(1)依次包括一陰極板(20)、一電阻緩衝層(30)、多個電子發射體(40)及一陽極板(50),該陽極板(50)與電子發射體(40)之間有一定空隙區域,電阻緩衝層與電子發射體均含有碳材料,且每一電子發射體均為納米棒。組合電阻緩衝層與電子發射體的電阻係數呈現漸變分佈,鄰近陰極板的電阻係數最高,而鄰近陽極板的電阻係數最小。當在陰極板與陽極板之間施加發射電壓,電子發射體發射電子,發射的電子穿過空隙區域後由陽極板接收。由於電阻係數的漸變分佈,因此只需要較低的發射電壓。


【名稱】場發射顯示器
【公開號】1467783【公開日】2004.01.14
【主分類號】H01J31/12【分類號】H01J31/12;H01J29/04;H01J1/304
【申請號】02147457.5
【分案原申請號】【申請日】2002.10.30
【申請人】鴻富錦精密工業(深圳)有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
【發明人】陳傑良【國際申請】
【國際公佈】【進入國家日期】
【專利代理機構】【代理人】
【摘要】本發明涉及一種場發射顯示器。該場發射顯示器包括一陰極、一與陰極相連的緩衝層、多個電子發射子及一陽極,其中,多個電子發射子形成於緩衝層上,每一電子發射子包括形成於緩衝層上的第一部分,該陽極與多個電子發射子相隔一定空間間距,該緩衝層與電子發射子的第一部分由硅的碳化物製成,且包括至少一漸變的電阻分佈,電阻最高的部分靠近陰極,電阻最低的部分靠近陽極。該場發射顯示器因具有漸變的電阻分佈,解決了傳統場發射顯示器發射電壓偏大、電子發射不均勻的缺點。


【名稱】場發射顯示器件
【公開號】1467785【公開日】2004.01.14
【主分類號】H01J31/12【分類號】H01J31/12
【申請號】02147487.7
【分案原申請號】【申請日】2002.11.05
【申請人】鴻富錦精密工業(深圳)有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
【發明人】陳傑良【國際申請】
【國際公佈】【進入國家日期】
【專利代理機構】【代理人】
【摘要】一種場發射顯示器件,其包括一陰極板、一電阻緩衝層、多個電子發射單元及一陽極板。該電阻緩衝層與該陰極板接觸,多個電子發射單元形成在該電阻緩衝層上,該陽極板與該電阻緩衝層之間有一空間區域,熒光粉層塗布在該陽極板上。每一電子發射單元皆由第一部分和第二部分構成,該電阻緩衝層與該電子發射單元的第一部分由氮化硅製成。且該電阻緩衝層與該第一部分的電阻率為漸變分佈,越接近陰極板電阻率越大,越接近陽極板電阻率越小,該第二部分的材質為金屬鉬。當在陰極板與陽極板之間施加發射電壓時,從第二部分發射的電子經由電場加速橫穿所述空間區域後為陽極板上的熒光粉層接收並發光,因該電阻緩衝層與該第一部分的電阻率呈漸變分佈,因而,發射電子所需的發射電壓較低。


【名稱】具有碳基發射極的場發射顯示器
【公開號】1495843【公開日】2004.05.12
【主分類號】H01J31/12【分類號】H01J31/12;H01J29/04;H01J1/304
【申請號】03164944.0
【分案原申請號】【申請日】2003.08.21
【申請人】三星SDI株式會社【地址】韓國京畿道
【發明人】吳泰植【國際申請】
【國際公佈】【進入國家日期】
【專利代理機構】北京市柳沈律師事務所【代理人】陶鳳波;侯宇
【摘要】本發明公開了一種場發射顯示器,包括第一襯底。至少一個柵極電極,按預定圖案形成在第一襯底上。多個陰極電極,按預定圖案形成在第一襯底上,從而與至少一個柵極電極形成交叉區。絕緣層,形成在至少一個柵極電極與多個陰極電極之間。至少一對發射極,電連接到陰極電極。第二襯底,與第一襯底相對設置,且其間具有預定的間隔。至少一個陽極電極,形成在第二襯底上。熒光層,形成在電連接到至少一個陽極電極的第二襯底上。


【名稱】具密封裝置之場發射顯示器
【公開號】1499567【公開日】2004.05.26
【主分類號】H01J31/12【分類號】H01J31/12;H01J29/86;H01J29/00
【申請號】02151934.X
【分案原申請號】【申請日】2002.11.05
【申請人】鴻富錦精密工業(深圳)有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
【發明人】陳傑良【國際申請】
【國際公佈】【進入國家日期】
【專利代理機構】【代理人】
【摘要】本發明公開了一種具密封裝置之場發射顯示器,解決了因密封裝置各部件之熱膨脹係數不同而導致場發射顯示器壽命及性能降低的問題。本發明具密封裝置之場發射顯示器包括:陰極板與陰極板相抵靠的緩衝層、形成於緩衝層上的電子發射端與該陰極板相對且覆有熒光層的陽極板和密封裝置。該密封裝置界定一密封的內部空間,且陰極板、緩衝層、電子發射端和陽極板收容於該內部空間。該密封裝置包括前面板、後面板和側壁,該側壁固定於前面板和後面板之間形成該內部空間,且該前面板、後面板由玻璃材料製成,該側壁由與該玻璃材料熱膨脹係數相同的鐵鎳鈷合金製成。


【名稱】場發射源組件的金屬性納米絲或納米管的植入方法
【公開號】1503298【公開日】2004.06.09
【主分類號】H01J9/02【分類號】H01J9/02
【申請號】02153327.X
【分案原申請號】【申請日】2002.11.25
【申請人】財團法人工業技術研究院【地址】台灣省新竹縣竹東鎮中興路四段195號
【發明人】徐文泰;盧榮宏;周有偉;葉國光;戴椿河;;張志銘【國際申請】
【國際公佈】【進入國家日期】
【專利代理機構】上海智信專利代理有限公司【代理人】李柏
【摘要】本發明運用外加靜電場作為驅動力,使得金屬性納米絲(nanowire)或納米管(nanotube)飛行植入於基板上的塗覆層而產生取向,此具取向性金屬納米絲或納米管的結構,可利用作為場發射顯示器的場發射源。


【名稱】具密封裝置之場發射顯示器
【公開號】1505091【公開日】2004.06.16
【主分類號】H01J29/86【分類號】H01J29/86
【申請號】02152175.1
【分案原申請號】【申請日】2002.12.02
【申請人】鴻富錦精密工業(深圳)有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
【發明人】陳傑良【國際申請】
【國際公佈】【進入國家日期】
【專利代理機構】【代理人】
【摘要】本發明公開了一種具密封裝置之場發射顯示器,解決了因密封裝置各部件之熱膨脹係數不同而導致場發射顯示器壽命及性能降低的問題。本發明具密封裝置之場發射顯示器包括:陰極板、與陰極板相抵靠的緩衝層、形成於緩衝層上的電子發射端、與該陰極板相對且覆有熒光層的陽極板和密封裝置。該密封裝置界定一密封的內部空間,且陰極板、緩衝層、電子發射端和陽極板收容於該內部空間。該密封裝置包括前面板、後面板和側壁,該側壁固定於前面板和後面板之間形成該內部空間,且該前面板與後面板由玻璃材料製成,該側壁由與該玻璃材料熱膨脹係數相同的鐵鎳合金製成。


【名稱】能增強電子發射特性的發射器配置結構的場致發射顯示器
【公開號】1510711【公開日】2004.07.07
【主分類號】H01J31/12【分類號】H01J31/12;H01J1/304
【申請號】03103143.9
【分案原申請號】【申請日】2003.01.07
【申請人】三星SDI株式會社【地址】韓國京畿道
【發明人】李天?;李相祚;李炳坤;安商赫;吳泰植;;金鐘玟【國際申請】
【國際公佈】【進入國家日期】
【專利代理機構】北京市柳沈律師事務所【代理人】李曉舒;魏曉剛
【摘要】本發明公開了一種場致發射顯示器,其包括第一襯底;在第一襯底上以預定圖形形成的柵極;形成在第一襯底上覆蓋柵極的絕緣層;以預定圖形形成在絕緣層上的陰極;電接觸陰極設置的發射器,與第一襯底相對設置的第二襯底,其間具有預定的間隙,第一襯底和第二襯底形成真空容器;形成在與第一襯底相對的第二襯底表面上的陽極;以及以預定圖形形成在陽極上的熒光層。陰極的一部分被去除,以形成發射器容納部分,而柵欄形成在發射器容納部分之間,發射器之一設置在每個發射器容納部分中,電接觸陰極。


【名稱】具有柵極板的場發射顯示器
【公開號】1510713【公開日】2004.07.07
【主分類號】H01J31/12【分類號】H01J31/12
【申請號】200310114772.X
【分案原申請號】【申請日】2003.12.24
【申請人】韓國電子通信研究院【地址】韓國大田市
【發明人】宋潤鎬;黃治善;李鎮浩;鄭重熙【國際申請】
【國際公佈】【進入國家日期】
【專利代理機構】北京市柳沈律師事務所【代理人】陶鳳波;侯宇
【摘要】本發明涉及一種具有柵極板的場發射顯示器,其中在具有熒光體的陽極板與具有場發射體和用於控制場發射電流的控制裝置的陰極板之間,形成一個柵極板,此柵極板具有柵極孔和圍繞這個柵極孔的柵電極,其中陰極板的場發射體構造成通過柵極孔與陽極板的熒光體相對。根據本發明,通過將場發射顯示器的掃瞄和數據信號加到每個像素的控制裝置,能夠顯著降低顯示器的行/列驅動電壓,並且本發明致力於提高場發射顯示器的亮度,通過柵極板的柵電極施加場發射所需的電場,來自由地控制陽極板和陰極板之間的距離,從而可以將一個高電壓施加到陽極。


【名稱】包括形成多層結構電子發射源的場發射顯示器
【公開號】1512536【公開日】2004.07.14
【主分類號】H01J31/12【分類號】H01J31/12;H01J29/04;H01J29/46;H01J1/304
【申請號】200310116536.1
【分案原申請號】【申請日】2003.11.14
【申請人】三星SDI株式會社【地址】韓國京畿道
【發明人】柳美愛;金薰英;南仲佑【國際申請】
【國際公佈】【進入國家日期】
【專利代理機構】北京市柳沈律師事務所【代理人】陶鳳波;侯宇
【摘要】本發明公開場發射顯示器,其包括以預定間隔彼此相對設置的第一和第二襯底;設置在第一和第二襯底其中之一上的電子發射源;用於誘導從電子發射源發射電子的電子發射誘導裝置;設置在沒有形成電子發射源的襯底上的輻射裝置,該輻射裝置通過來自電子發射源的電子發射實現圖像。電子發射源包括碳納米管層和基極層,該基極層連接碳納米管層到襯底並且施加電子發射所需的電壓到碳納米管層上。此外,設置在基極層上的碳納米管層處於與基極層基本不混合的狀態。


【名稱】採用垂直排列的碳納米管的場致發射顯示裝置及其製造方法
【公開號】1297218【公開日】2001.05.30
【主分類號】G09G1/00【分類號】G09G1/00
【申請號】00130372.4
【分案原申請號】【暱餚鍘?2000.11.021999.11.5KR49018/1999
【申請人】李鐵真;株式會社日進納米技術【地址】韓國全羅北道
【發明人】李鐵真;柳在銀【國際申請】
【國際公佈】【進入國家日期】
【專利代理機構】永新專利商標代理有限公司【代理人】過曉東
【摘要】本發明涉及一種場致發射顯示裝置,其包括:在下部基材上形成的作為陰極使用的金屬膜;垂直排列在金屬膜上作為發射頭使用的碳納米管;安裝於金屬膜上的隔離片;以及安裝有透明電極和熒光塗層的上部基材,該上部基材形成於片上。還涉及該裝置的製造方法。根據本發明的FED裝置結構簡單,使生產效率得以提高並可大尺寸製造,而且在低的操作電壓下可以獲得大的發射電流。


【名稱】顯示面板的驅動方法、顯示面板的亮度校正裝置及其驅動裝置
【公開號】1377495【公開日】2002.10.30
【主分類號】G09G3/20【分類號】G09G3/20;G09G3/22;G09G3/32
【申請號】00813876.1
【分案原申請號】【申請日】2000.10.041999.10.4__JP_282765/99;1999.11.19JP329492/99;2000.4.4JP101959/00
【申請人】松下電器產業株式會社【地址】日本大阪府
【發明人】川瀨透;黑川英雄;秋山浩二;白鳥哲也【國際申請】PCT/JP00/068932000.10.4
【國際公佈】WO01/26085日2001.4.12【進入國家日期】2002.04.04
【專利代理機構】中國國際貿易促進委員會專利商標事務所【代理人】王以平
【摘要】提供顯示面板的驅動方法、顯示面板的亮度校正裝置及驅動裝置。在現有的顯示器的亮度校正方式中,為進行校正,不得不在中途中斷圖像顯示。該問題點對圖像顯示裝置的使用者來說是作業性較差的裝置。因此,在本發明中,通過測量FED的陽極電流並製作亮度校正存儲器,從而可以對初始特性和經時變化兩種情況實現發光均勻的顯示。進而,通過在圖像休止期間讓任意的像素發光,取入像素的亮度信息,並以其亮度信息為基礎更新校正存儲器,可以不中斷圖像輸出地校正經時變化。由此,可以提供能夠維持高顯示質量的顯示面板。


【名稱】場致發射顯示器(FED)視頻驅動電路
【公開號】1447308【公開日】2003.10.08
【主分類號】G09G5/00【分類號】G09G5/00;G09G1/00
【申請號】03115390.9
【分案原申請號】【申請日】2003.02.14
【申請人】廈門火炬福大顯示技術有限公司;福州大學
【發明人】郭太良;林志賢【國際申請】
【國際公佈】【進入國家日期】
【專利代理機構】【代理人】
【摘要】本發明提供一種場致發射顯示器(FED)視頻驅動電路,其特徵在於它是由一個視頻接收單元,一個模擬視頻轉換為數字視頻的A/D單元,一個視頻數據存放的緩存單元,一個灰度調製單元,一個功率放大的後級驅動單元,以及電源組成的。電路將PAL制式的視頻圖像信號進行A/D採集變換後送入緩存同時實現圖像的區域截取,然後按逐行掃瞄的方式傳送圖像數據並完成圖像灰度的還原,最後送入後級功率驅動放大器產生驅動脈衝來驅動FED顯示屏,電源對上述各部分電路進行供電。本發明能實時地採集處理單色視頻圖像,並準確地在FED屏上再現,解決了在FED屏上實現實時視頻圖像顯示的難題。


【名稱】場致發射顯示器(FED)視頻驅動電路
【公開號】2622804【公開日】2004.06.30
【主分類號】G09G5/00【分類號】G09G5/00;G09G1/00
【申請號】03228804.2
【分案原申請號】【申請日】2003.02.14
【申請人】廈門火炬福大顯示技術有限公司;福州大學
【發明人】郭太良;林志賢【國際申請】
【國際公佈】【進入國家日期】
【專利代理機構】【代理人】
【摘要】本實用新型提供一種場致發射顯示器(FED)視頻驅動電路,其特徵在於它是由一個視頻接收單元,一個模擬視頻轉換為數字視頻的A/D單元,一個視頻數據存放的緩存單元,一個灰度調製單元,一個功率放大的後級驅動單元,以及電源組成的。電路將PAL制式的視頻圖像信號進行A/D採集變換後送入緩存同時實現圖像的區域截取,然後按逐行掃瞄的方式傳送圖像數據並完成圖像灰度的還原,最後送入後級功率驅動放大器產生驅動脈衝來驅動FED顯示屏,電源對上述各部分電路進行供電。本實用新型能實時地採集處理單色視頻圖像,並準確地在FED屏上再現,解決了在FED屏上實現實時視頻圖像顯示的難題。


 
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