第三代半導體SiC發展應用於電動車
科技產業資訊室 (iKnow) - May 發表於 2021年1月20日
圖、第三代半導體SiC發展應用於電動車
碳化矽（SiC）半導體產能正在迅速擴展。日本半導體製造商Rohm於2021年1月18日宣佈，已完成在福岡筑後（Chikugo）的SiC碳化矽晶圓廠建設，目標在2021年完成引進設備，2022年正式開始運營。
同時，韓國半導體設計公司Silicon Works已選定碳化矽半導體作為新的核心業務，這似乎與LG近期加快發展汽車電子業務有關。根據預測，隨著大型企業進入，韓國SiC晶片設計市場的規模將逐漸擴大，目前為止，這個市場主要由中小企業佔據，例如：United SiC、漢磊等，或是全球主要大廠包括科銳（Cree）、意法半導體（STMicro）、英飛淩（Infineon）、羅姆（ROHM）及瑞薩（Renesas）。
至於台灣廠商，漢磊在碳化矽、氮化鎵領域，著墨最深的指標大廠，漢磊的650伏特高壓氮化鎵已經通過電動車的車用標準認證，並且開始逐漸導入。至於韓國本土SiC相關企業包括RFHIC和Metal Life
目前量產的SiC晶圓尺寸多在4~6吋，然矽晶圓己達12吋。雖然，三年來以來，碳化矽、氮化鎵等化合物成本，已下降20％至25％，將有利於終端產品導入第三代半導體的比率逐漸增加。而且，SiC著重在功率元件所產生的延伸效益，例如能耗損失少（包括導通損耗及開關損耗）、被動元件使用數降低、散熱系統得以簡化、減少電費及電池容量等，因此從系統面來看，仍有利於總成本的降低。
若從電動車應用來看，SiC較GaN展現出較大優勢，原因是電動車屬高壓、大電流的應用場景。目前SiC功率元件應用在電動車，SiC導入動力系統中的逆變器時程比預期快，其中，Tesla Model 3長程版的車款，其逆變器由24個SiC MOSFET所構成，其續航力較其他同級車款具更長的表現，達560公里。未來SiC在逆變器應用會愈來愈普及。還有，SiC功率元件導入OBC（車載充電器），目前觀察中國及歐系車廠導入速度較快，為了縮短充電時間，OBC功率規格從過去的3.3kW、提升至22kW。(620字；圖1)
參考資料：
Semiconductor Industry: SiC Semiconductor Capacity Expansion Accelerates. Business Korea, 2021/1/13.
ROHM Completes Construction of a New Environmentally Friendly Building at its Apollo Chikugo to Expand Production Capacity of SiC Power Devices. ROHM, 2021/1/18.
羅姆第四代SiC MOSFET有利車載逆變器普及。DIGITIMES，2020/8/13。
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