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因應2020年5G服務及CPU需求,三星電子增加半導體投資

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科技產業資訊室 - 何思穎 發表於 2019年11月6日

圖、因應2020年5G服務及CPU需求,三星電子增加半導體投資

三星電子(Samsung Electronics)於2019年10月31日宣布,與2018年相近,今年的投資額為29兆韓元,投資包含半導體領域的23.3兆韓元、及顯示器領域的2.9兆韓元,而今年第四季的大部分資本支出將用於記憶體晶片領域的基礎設施。三星電子在今年前三個季的總投資額為16.8兆韓元,並計畫第四季12.2兆韓元。
 
營收方面,三星的半導體部門今年(2019)第三季的營業利潤為3.05兆韓元,是自2016年第二季以來最低,此外,該部門的淨利率(operating profit-to-sales ratio)也在三年中該季下降至20%以下。
 
在今年剩下的兩個月,三星電子採取大膽的投資計劃,與SK海力士的立場大相逕庭。SK海力士最近公佈了13個季的最低收益,並表示隨著明年DRAM和NAND flash的產量降低,其投資額可能會減少。
 
三星電子基於10奈米級的DRAM產品已量產,因而加速半導體投資計畫。10奈米DRAM至今年年底將佔大約80%,而17(1y)奈米級的DRAM產品將成為2020年上半年的主流產品。三星亦表示將按計劃生產17奈米級產品,並利用新EUV極紫外光微影技術設備增加其產量。三星位於西安的中國第二家製造廠計畫將於明年(2020)初投入運營,而其在南韓平澤的第二家製造廠也將於2020年開業,這兩家工廠可能分別生產NAND Flash和DRAM產品。
 
由於Apple即將發布5G智慧手機以及5G服務將在美國和日本等地發展,預計明年的全球半導體需求將激增。英特爾也計畫在2020年下半年發表Ice Lake伺服器CPU,預計CPU將促使雲端服務供應商對DRAM和SSD的需求。

三星可能受到台積電大舉投資的影響而決定加大投資力道。隨著7奈米強效版(7+)需求擴大及未來5奈米新產能需求,TSMC決定擴大今年(2019)資本支出,從110億美元提高至140億~150億美元。至於,新增加的40億美元當中,15億美元用於擴增7奈米產能,25億美元投入5奈米生產線建置,預估明年第二季後新產能就會開出。同時,台積電的加碼動作,也將刺激其他公司效仿跟進。
 
目前,三星電子和台積電是唯二兩家使用基於EUV微影設備的7奈米級製程技術的製造廠,而對於想要在2030年主導半導體製造市場的三星電子而言,增加投資額是必不可少的。
 
三星電子曾於2019年4月24日宣布“半導體願景2030”,至2030年將投資133兆韓元(1150億美元)於系統半導體領域(system Semiconductors)的研發(R&D)和生產技術,並僱用15,000名專業人員,其中將投入73兆韓元於RD研發和60兆韓元於先進生產設備(購買EUV設備)。三星的目標不僅在記憶體半導體領域,也包含非記憶體晶片(包括系統半導體在內)或晶片系統(SoC)方面,企圖在未來搶全球龍頭地位。(724字;圖1)
 
 
參考資料:
Samsung Electronics to Accelerate Investment in Semiconductors. BusinessKorea, 2019/11/1
基於7+奈米與5奈米需求強勁、台積電提高2019年資本支出至140億~150億美元。科技產業資訊室(iKnow),2019/10/18。
三星電子至2030年將投資1150億美元於系統半導體。科技產業資訊室(iKnow),2019/4/25。


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