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長江存儲啟動64層3D NAND量產

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科技產業資訊室 - May 發表於 2019年9月3日

圖、長江存儲64層3D NAND採Xtacking架構
 
2019年9月2日,紫光集團旗下長江存儲科技宣布,已開始量產基於Xtacking®架構的64層256 Gb TLC 3D NAND快閃記憶體。
 
長江存儲64層3D NAND快閃記憶體採用Xtacking®架構設計,可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元,當兩片晶圓各自完工後,Xtacking®技術只需一個處理步驟就可通過數十億根垂直互聯通道(VIA)將兩片晶圓結合。相較傳統3D NAND閃存架構,Xtacking®可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產品上市週期,以符合高速大容量存儲解決方案市場的快速發展。
 
目前,全球NAND快閃記憶體的領導廠商,以三星、SK海力士、美光、東芝等,而台灣有旺宏、華邦電等業者以中低階產品為主。
 
根據統計,中國2018年晶片進口高達3,120億美元,其中3D NAND和DRAM共約1,100億美元。中國政府扶植的晶片業者紫光集團的存儲晶片業務主要有長江存儲、武漢新芯、紫光存儲、西安紫光國芯。其中,長江存儲主要是研發和生產3D NAND晶片,每年的研發費高達10億美元。
 
所謂3D NAND通過將原本平鋪的儲存單元堆疊起來,形成多層結構,來提供容量,使原本只有1層的儲存單元,堆疊成64層或更多層。自2018年以來,快閃記憶體價格一直在下跌,主要原因是64層及72層3D晶片的供應增加。目前,NAND主力大廠商以量產96層3D NAND,預期全球產量將自2019第二季開始擴大,這可能將會為今年的SSD市場與價格帶來更多變數。預估至今年(2019)年底,快閃記憶體價格甚至會跌至每GB不到0.1美元的新低價。甚至,三星電子開始量產136層第六代V-NAND SSD。
 
隨著長江存儲64層3D NAND量產後,2020年產能將逐步擴大,預計對全球NAND Flash市場供給與價格帶來衝擊。儘管長江存儲在技術發展上仍與主要領導廠商有相當差距,長江存儲宣稱明年(2020)將直攻128層產品以縮短與一線廠的技術差距。至於,美日韓NAND領導大廠則規劃在2020年量產128層3D NAND產品。
 
長江存儲初期產能規模並不大,短期對NAND Flash市場影響應有限,且以中國內需市場為主,預期明年(2020)下半年對市場供給將開始逐步產生影響。隨著5G等新應用,未來的記憶體需求將會放大。(740字;圖1)

 
參考資料:
採用Xtacking®架構,長江存儲啟動64層3D NAND閃存量產。紫光集團新聞稿,2019/9/2。
三星電子開始量產136層第六代V-NAND SSD。科技產業資訊室(iKnow),2019/8/7。
全球96層3D NAND產量將自2019第二季開始擴大。科技產業資訊室 (iKnow),2019/5/14。
 

 
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