SK海力士HBM2E DRAM高頻寬記憶體，預計2020年量產
科技產業資訊室 (iKnow) - May 發表於 2019年8月14日
圖、SK海力士HBM2E DRAM高頻寬記憶體，預計2020年量產
SK海力士(SK Hynix) 於2019年8月12日宣布，已開發出HBM2E DRAM，這是一種高頻寬記憶體(high-bandwidth memory semiconductor)，可用於人工智慧（AI）裝置和超級電腦(supercomputers)。
SK Hynix示，該款新晶片超過每秒460 GB，基於每個引腳(pin)的每秒3.6Gb性能和1,024個數據I / O，這比該公司一年前開發的HBM2 DRAM高出50％。
該晶片製造採用“穿矽通孔”（TSV：through-silicon via）技術以垂直堆疊8個16 Gb晶片，並封裝出16 GB記憶存儲器。SK海力士預計於2020年開始批量生產新HBM2E DRAM晶片。
新的HBM2E DRAM晶片產品主要應用於需要高速、高性能的記憶存儲器，例如：圖形處理卡、超級電腦、AI半導體及伺服器。
SK海力士2019年第二季的DRAM銷售額為42.6億美元，佔全球市場的28.7％。
根據維基百科，高頻寬記憶體（High Bandwidth Memory，HBM）是三星電子、超微半導體和SK海力士發起的一種基於3D堆疊工藝的高效能DRAM，適用於高記憶體頻寬需求的應用，像是圖形處理器、網路交換及轉發裝置（如路由器、交換器）等。第一代高頻寬記憶體2013年10月正式被JEDEC採納為業界標準。第二代高頻寬記憶體（HBM2）於2016年1月被JEDEC採納。例如，NVIDIA在該年發表的新款旗艦型Tesla運算加速卡Tesla P100、AMD的Radeon RX Vega系列、Intel的Knight Landing也採用了第二代高頻寬記憶體。(420字；圖1)
參考資料：
高頻寬記憶體。維基百科
SK Hynix Develops Ultra-High Speed DRAM. Business Korea, 2019/8/13.
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