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SK海力士HBM2E DRAM高頻寬記憶體,預計2020年量產

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科技產業資訊室 - May 發表於 2019年8月14日

圖、SK海力士HBM2E DRAM高頻寬記憶體,預計2020年量產

SK海力士(SK Hynix) 於2019年8月12日宣布,已開發出HBM2E DRAM,這是一種高頻寬記憶體(high-bandwidth memory semiconductor),可用於人工智慧(AI)裝置和超級電腦(supercomputers)。
 
SK Hynix示,該款新晶片超過每秒460 GB,基於每個引腳(pin)的每秒3.6Gb性能和1,024個數據I / O,這比該公司一年前開發的HBM2 DRAM高出50%。
 
該晶片製造採用“穿矽通孔”(TSV:through-silicon via)技術以垂直堆疊8個16 Gb晶片,並封裝出16 GB記憶存儲器。SK海力士預計於2020年開始批量生產新HBM2E DRAM晶片。
 
新的HBM2E DRAM晶片產品主要應用於需要高速、高性能的記憶存儲器,例如:圖形處理卡、超級電腦、AI半導體及伺服器。
 
SK海力士2019年第二季的DRAM銷售額為42.6億美元,佔全球市場的28.7%。
 
根據維基百科,高頻寬記憶體(High Bandwidth Memory,HBM)是三星電子、超微半導體和SK海力士發起的一種基於3D堆疊工藝的高效能DRAM,適用於高記憶體頻寬需求的應用,像是圖形處理器、網路交換及轉發裝置(如路由器、交換器)等。第一代高頻寬記憶體2013年10月正式被JEDEC採納為業界標準。第二代高頻寬記憶體(HBM2)於2016年1月被JEDEC採納。例如,NVIDIA在該年發表的新款旗艦型Tesla運算加速卡Tesla P100、AMD的Radeon RX Vega系列、Intel的Knight Landing也採用了第二代高頻寬記憶體。(420字;圖1)
 
 
參考資料:
高頻寬記憶體。維基百科
SK Hynix Develops Ultra-High Speed DRAM. Business Korea, 2019/8/13.
 

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