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SK海力士無錫新DRAM廠全面運作,月產18萬片10奈米晶圓

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科技產業資訊室 - May 發表於 2019年4月10日

圖、SK海力士全面運作無錫新DRAM廠,月產10奈米18萬片晶圓

SK海力士於中國無錫的擴建工廠(2號工廠),耗資9500億韓元(8.32億美金),將於2019年4月全面投入運作,該工廠的產能將增加到每月18萬片晶圓,以10nm級DRAM晶圓為主。然而,SK海力士表示,擴大生產線只是為了引入DRAM的微製程,而非增加其產能。這也意味著,由於半導體供應過剩,晶片製造商將繼續控制供應量。

SK海力士已獲得擴建無錫工廠的資金。3月25日,SK海力士與由國家開發銀行為首,以及中國農業銀行、中國建設銀行、中國工商銀行和中國進出口銀行的一群中國銀行舉行聯合貸款的簽屬儀式。貸款金額估計為35億美元,是中國江蘇省史上最大的一筆外幣貸款。

事實上,隨著2號DRAM工廠的完工,歷經14年SK海力士已經在無錫廠共投資了140億美元。目前,SK海力士在南韓境內DRAM和NAND運營有:京畿道利川市生產線M10和M14,以及在忠清北道清州運營的其他三條NAND閃存生產線M11,M12和M15。該公司還計劃明年(2020)在利川完成M16的建設。

關於無錫擴建晶圓廠業務,將影響DRAM的供應和價格。根據DRAMexchange的數據,2019年3月份DDR4 8Gb DRAM的固定價格較上月下降11.1%,來到4.56美元。相當接近2016年12月4.19美元的價格,那是記憶體行業開始蓬勃發展的高點。因此,美光公司宣布將削減DRAM和NAND flash各5%的產量。
 
另外,SK海力士半導體10年大計,投資高達120兆韓元。已2019年2月21日向京畿道龍仁市(Yongin City, Gyeonggi Province)提交意向書,披露計畫投資120兆韓元(1065億美元)在該市建立半導體群聚的意向,並打造面積約448萬平方米,以作為DRAM和下一代記憶體產品的生產基地。(565字;圖1)
 
 
參考資料:
SK Hynix's Expanded Fab in Wuxi Plant to Go into Full Operation This Month. Business Korea, 2019/4/3.
SK海力士半導體10年大計,投資高達120兆韓元。科技產業資訊室(iKnow),2019/2/23。


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