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三星電子開發出第三代10奈米級DRAM

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科技產業資訊室 - May 發表於 2019年3月22日

圖、三星電子開發出第三代10奈米級DRAM
 
據韓媒報導,三星電子已開發出業界首款第三代10奈米級(1z-nm)8 Gb雙倍數據速率(DDR4)DRAM,準備來搶DRAM高端市場。
 
該公司表示,開發10奈米級1z-nm 8 Gb DDR4,在不使用Extreme Ultra-Violet(EUV)處理,它已經突破了DRAM擴展的極限;與之前版本的10-nm DRAM相比,新DRAM的製造生產率提高了20%以上。同時,僅花了16個月就突破技術,將批量生產第二代10奈米級(1y-nm)8 Gb DDR4提升到第三代10奈米級DRAM。
 
新的DRAM有望幫助三星增強其業務競爭力,鞏固其在高端DRAM市場的領先地位,應用於包括伺服器、圖形和移動設備等。
 
三星特別強調,該基於第三代10-nm級(1z)DRAM的PC DDR4模塊已達到所有全球中央處理器(CPU)製造商的評估標準,能夠滿足全球IT客戶需求。
 
三星計劃在今年(2019)下半年批量生產該產品,以適應預計將於2020年推出的企業用下一代伺服器和高端PC。該1z-nm DRAM也將為下一代DRAM接口(如DDR5,LPDDR5和GDDR6)的過渡鋪路,這些接口將為未來的數位化新興產品提供服務。
 
目前,全球DRAM市場不佳,主要受到幾個因素的影響:全球經濟趨緩、美中貿易戰、Intel的CPU缺貨問題未改善、智慧手機銷售不如預期,再加上伺服器庫存調整,消費者對景氣缺乏信心,這些因素,都影響到記憶體的市況。目前,美光已經宣布記憶體減產,以緩和市場供過於求的問題。(550字;圖1)


參考資料:
Samsung Electronics Develops 3rd-generation 10 nm-class DRAM for First Time in the World. Business Korea, 2019/3/22.
Micron says memory chip recovery is coming later in the year, sending shares higher. CNBC, 20199/3/21.


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