︿
Top

無機半導體在黑暗中呈現可塑性

瀏覽次數:968| 歡迎推文: facebook twitter wechat twitter twitter

科技產業資訊室 - 王宣智 發表於 2018年6月8日

圖、無機半導體在黑暗中呈現可塑性
 
無機半導體材料易碎、不可彎曲的特性,然而,日本名古屋大學在 Science 期刊的研究成果打破了這個認知,部分的無機半導體為光敏感材料,會因為光照產生不同的變化,如硫化鋅,在完全黑暗時能夠承受大幅變形,應變可高達45%,但材料位於光照環境,則呈現易碎的特性。新的發現,將促進更進一步無機半導體材料的探索,找出更多的特殊性質。
 
研究團隊在白光、UV光與全黑的環境下,測試了硫化鋅半導體的應變,發現在全黑、室溫的條件下,硫化鋅半導體呈現可撓的特性。然而,在白光與UV光、室溫環境,稍微的變形即造成碎裂。半導體因結構缺陷或高流動性的錯位,在晶體結構中產生了額外的電子或電洞,只要克服電子能隙,即能讓半導體導電。無機半導體在光照的環境下,光子提供額外的能量水平限制了電子與電洞的位移,因此發生變形時,晶體結構就產生脆裂的現象。但是,在黑暗的環境下,缺乏光提供額外的能量限制電子與電洞的空間位移,因此無機半導體呈現可撓性。但是變形現象會造成半導體晶體內部電子間距的改變,電子間距與電子的躍升能隙有關,因此當半導體晶片發生變形,半導體的能隙也會發生變化。
 
日本名古屋大學的研究發現提供一個新概念,無機半導體材料可以通過光消除,增加材料的應變,高應變有利於加工。換言之,新的研究發現將引發另一波半體導晶體結構工程研究,促成更多樣化的半導體。(550字;圖1)
 

連結網址:
Light Exposure Impacts Performance of Inorganic Semi Material. Photnics Media,2018/5/24
Extraordinary plasticity of an inorganic semiconductor in darkness. Science,2018/5/18

 
歡迎來粉絲團按讚!
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
【聲明】
1. 科技產業資訊室刊載此文不代表同意其說法或描述,僅為提供更多訊息,也不構成任何投資建議。
2. 著作權所有,非經本網站書面授權同意不得將本文以任何形式修改、複製、儲存、傳播或轉載,本中心保留一切法律追訴權利。