無機半導體在黑暗中呈現可塑性
科技產業資訊室 (iKnow) - 王宣智 發表於 2018年6月8日
圖、無機半導體在黑暗中呈現可塑性
研究團隊在白光、UV光與全黑的環境下，測試了硫化鋅半導體的應變，發現在全黑、室溫的條件下，硫化鋅半導體呈現可撓的特性。然而，在白光與UV光、室溫環境，稍微的變形即造成碎裂。半導體因結構缺陷或高流動性的錯位，在晶體結構中產生了額外的電子或電洞，只要克服電子能隙，即能讓半導體導電。無機半導體在光照的環境下，光子提供額外的能量水平限制了電子與電洞的位移，因此發生變形時，晶體結構就產生脆裂的現象。但是，在黑暗的環境下，缺乏光提供額外的能量限制電子與電洞的空間位移，因此無機半導體呈現可撓性。但是變形現象會造成半導體晶體內部電子間距的改變，電子間距與電子的躍升能隙有關，因此當半導體晶片發生變形，半導體的能隙也會發生變化。
日本名古屋大學的研究發現提供一個新概念，無機半導體材料可以通過光消除，增加材料的應變，高應變有利於加工。換言之，新的研究發現將引發另一波半體導晶體結構工程研究，促成更多樣化的半導體。(550字；圖1)
連結網址：
Light Exposure Impacts Performance of Inorganic Semi Material. Photnics Media，2018/5/24
Extraordinary plasticity of an inorganic semiconductor in darkness. Science，2018/5/18
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
【聲明】
1.科技產業資訊室刊載此文不代表同意其說法或描述，僅為提供更多訊息，也不構成任何投資建議。
2.著作權所有，非經本網站書面授權同意不得將本文以任何形式修改、複製、儲存、傳播或轉載，本中心保留一切法律追訴權利。
|