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2018年半導體資本支出預測首次超過1000億美元

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科技產業資訊室 - 李宜諺 發表於 2018年5月24日

圖、全球半導體資本支出趨勢(2000-2018F)
 
IC Insights預測今年(2018)半導體的全年支出成長預測從8%上調至14%,同時代表著資本支出首次突破1000億美元。全球2018年資本支出預測數字比2016年兩年前的支出高出53%。
 
儘管,三星表示今年還未公布全年的資本支出預測,但它確實表示2018年半導體資本支出相比2017年將花費“更少”些,2017年約242億美元。但是截至1Q18,其資本支出為67.2億美元,略高於前三季的平均。這個數字幾乎是公司兩年前1Q16花費的4倍! 過去四個季度,三星為其半導體集團斥資266億美元的資本支出。
 
IC Insights預測今年三星半導體集團資本支出將達到200億美元,比2017年減少42億美元。不過鑒於今年的開支開始強勁,目前看來該預測仍存在更大的下降趨勢。
 
由於DRAM和NAND快閃記憶體市場仍然非常強勁,SK海力士(SK Hynix)今年的資本支出預計將增至115億美元,比2017年的81億美元成長42%。SK海力士今年增加的支出將主要集中在線上的兩個大型記憶體廠M15,一家位於韓國清州的3D NAND快閃記憶體製造廠,以及其在中國無錫擴建的大型DRAM工廠。清州工廠在今年年底前開放。無錫晶圓廠也計劃在今年年底前開放,比原計劃的2019年初,早幾個月。(408字;圖1)
 
 
參考資料:
Semi Capex Forecast to Exceed $100B for the First Time in 2018. IC Insights, 2018/5/22.


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