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晶元光電強勁「燈絲及燈絲燈泡」專利組合再出擊

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科技產業資訊室 (iKnow) - Bourme 發表於 2018年5月10日
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圖、晶元光電強勁「燈絲及燈絲燈泡」專利組合再出擊
 
2018年5月7日, 晶元光電(Epistar)公司於美國中加州聯邦地方法院提起訴訟,控告V-Tac USA 公司侵害其所擁有的7件美國專利;經查這是自2016年以來,晶元光電第四次出擊,主動提起美國專利侵權訴訟;顯見晶電公司已經累積了強而有力的專利組合,同時公司內部法務團隊也能緊密地和外部律師事務所合作互動,積極進行美國專利維權。

表一、晶電主動提起美國專利侵權訴訟
  
Case Title  Case Number Court Date Filed Date Closed
Epistar Corporation v. Adamax, Inc. 3:2016cv04981 California Northern District Court 08/30/2016 10/24/2016
EPISTAR CORPORATION v. ALL STAR LIGHTING SUPPLIES, INC. 2:2017cv08255 New Jersey District Court 10/13/2017  
Epistar Corporation v. Lowes Companies, Inc et al 2:2017cv03219 California Central District Court 04/28/2017  
Epistar Corporation v. V-TAC USA Corp. 8:2018cv00799 California Central District Court 05/07/2018  
Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室(iKnow)整理,2018/5

根據晶電公司網頁2017/10/27新聞稿「晶電耕耘智慧財產權多年有成」,節錄並簡要說明晶元光電所擁有的專利組合 (patent portfolio),其中涵蓋了燈絲及燈絲燈泡,因此業界也開始注意到晶電的專利。其中6件也是本案系爭專利:
美國專利號6,346,771(發明名稱「高效率LED燈」)、
美國專利號7,489,068(發明名稱「發光二極體裝置」)、
美國專利號7,560,738(發明名稱「具有黏結層之發光二極體陣列」)、
美國專利號8,791,467(發明名稱「發光二極體及其製造方法」) 、
美國專利號8,240,881(發明名稱「發光二極體之封裝結構」)、
美國專利號9,065,022(發明名稱「發光設備」)
目前,僅有Super Trend Lighting與Q L Light Source兩家公司取得上述幾件專利的完整授權。
 
整理晶元光電在上述4件美國專利訴訟中所主張專利表列,並與晶元光電新聞稿所強調的「燈絲及燈絲燈泡」專利組合比對後,得到如下表列:
 
表二、晶元光電「燈絲及燈絲燈泡」專利組合
Patent # Adamax All Star Lighting Supplies Lowes Companies V-TAC USA 晶電新聞稿 "燈絲及燈絲燈泡" 專利組合
6,346,771     V V V
7,355,208   V      
7,489,068 V V   V V
7,560,738 V V V V V
8,240,881       V V
8,492,780     V    
8,587,020     V    
8,791,467 V V V   V
9,065,022 V V   V V
9,257,604   V      
9,488,321   V   V  
9,664,340   V   V  
Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室(iKnow)整理,2018/5
 
如此分析可得知,晶元光電目前已有12件可用專利彈藥,尤其其中 ’068, ‘738, ‘467, ‘022等四件專利被運用在至少3件專利訴訟中,且被晶元光電新聞稿宣傳強調,因此推論這四篇專利相對比較重要。
 

結論
 
四件專利中的最晚一件US9065022專利,是引用七件中華民國專利為優先權母案 – 如此針對相同研發主題,從最早母案起算的一年時間內,每當研發單位有突破創新,對先前申請案實施例技術內容有所補充時,晶元光電可以每個月新提出新專利申請案,甚至可以在同一個月內提出兩件相關聯的專利申請.可見晶元光電一則不吝於投資專利申請費用,二則公司專利部門對專利申請法規實務程序相當孰悉。
 
如此費心投資專利申請,使得上述晶元光電專利的獨立項專利範圍字數均很少而相當簡短,且專利範圍表現方式涵蓋:各元件機構外形和空間關係,操作時電學參數,和材質光學特性,充分展現有彈性多變化的良好專利範圍撰寫技巧,如此才能僅依據LED 元件有限的零組件架構,充分描述相關發明特性,才能和諸多前案界定明確差異,進而說服USPTO專利審查委員而獲得相當廣泛的專利範圍。從專利申請程序實務操作,專利範圍廣度和專利組合的專利件數來看,晶元光電可能是台灣廠商積極投入專利維權活動的另一個明日之星。(2518字;圖1)
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以下優先介紹這四篇專利範圍與All Star Lighting Supplies訴狀中,晶元光電所附侵權比對表 claim charts:
 
All Star Lighting Supplies訴狀附件侵權比對表
 
US7,489,068 - Exhibit 10: Infringement Claim Chart for U.S. Patent No. 7,489,068
Claim 1:
1. A light emitting device, comprising:
a transparent substrate;
a light emitting stack having a first diffusing surface above the transparent substrate; and
a transparent adhesive layer between the transparent substrate and the first diffusing surface, wherein an index of refraction of the light emitting stack is different from that of the transparent adhesive layer.
 
1.一種發光裝置,包括:
一透明基板;
一發光疊層,該發光疊層具有一第一擴散表面,該第一擴散表面位在該透明基板上方; 和
一透明膠層,該透明膠層設置於該透明基板與該第一擴散表面之間,其中該發光疊層的光折射率不同於該透明膠層的光折射率。




 
US7,560,738 - Exhibit 11: Infringement Claim Chart for U.S. Patent No. 7,560,738
Claim 1
  1. A light-emitting diode array comprising:
a substrate;
an adhesive layer formed on the substrate; and
a plurality of electrically connected epitaxial light-emitting stack layers disposed on the adhesive layer, each of the epitaxial light-emitting stack layers comprising a P-contact and an N-contact,
wherein the P-contact and the N-contact are disposed on the same side of the epitaxial light-emitting stack layer.
1.一種發光二極體陣列,包括:
一基板;
一粘合劑層,該粘合劑層形成在該基板上; 和
複數個電性連接的外延發光堆疊層,設置在所述粘合層上,每個該外延發光堆疊層包括一P型接點和一N型接點,其中該P型接點和該N型接點位於所述外延發光堆疊層的同一側。






US8,791,467 - Exhibit 12: Infringement Claim Chart for U.S. Patent No. 8,791,467
Claim 1:
1. A light-emitting structure, comprising:
a layer structure, having a first edge, for emitting light; and
a carrier substrate, having a second edge, bonded to the layer structure and not being a single crystal wafer;
wherein the light-emitting structure has a light output power of more than 4 mW at 20 mA current.
 
1.一種發光結構,包括:
一層結構,該層結構具有第一邊緣,用於發光; 和
一載體基板,該載體基板具有一第二邊緣,該載體基板接合到該層結構並且不是單一個晶圓;
其中該發光結構在20mA電流下具有大於4mW的光輸出功率。





US9,065,022 - Exhibit 13: Infringement Claim Chart for U.S. Patent No. 9,065,022
Claim 1:
1. A light emitting apparatus, comprising:
at least one light emitting device, including:
a substrate, having a support surface; and
at least one light emitting diode chip comprising a plurality of light emitting surfaces, disposed on said support surface of said substrate, one of said light emitting surfaces and said support surface forming a first main surface, wherein a light emitting angle of said light emitting diode chip is wider than 180°, and a portion of light emitted by said light emitting diode chip penetrates into said substrate from said support surface and emerges from a second main surface of said substrate opposing said first main surface; and
a support base, coupled to said light emitting device, and forming a first angle with said substrate.
 
1.一種發光裝置,包括:
至少一個發光元件,包括:
一基板,該基板具有一支撐表面; 和
至少一個發光二極體晶片,該發光二極體晶片包括:
複數個發光表面,該複數個發光表面設置在該基板的該支撐表面上,該發光表面的其中之一和該支撐表面形成第一主表面,其中該發光二極體晶片發光角度大於180°,並且由該發光二極體晶片發出光線的一部分從該支撐表面穿透到該基板中,並且從該基板的一第二主表面出射,該第二主表面與該第一主表面相對; 和
一支撐基座,該支撐基座耦合到該發光元件,並與該基板間形成一第一角度。 





相關檔案下載:
Epistar v. All Star Lighting訴狀
Epistar v. Adam 訴狀
Epistar v. Lowe's 訴狀

Epistar v. V-TAC訴狀
Epistar_TW-I249148=US7560738-TW.pdf
Epistar_TW-I330413=US7489068-TW.pdf
Epistar_TW-I490432=US9065022-TW.pdf
Epistar_TW-I550834=US8791467-TW.pdf


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2018

08-27LED燈絲燈專利訴訟案,晶電宣布與V-TAC達成和解

原告: Epistar v. V-TAC

晶元光電宣布同意與V-TAC USA Corp.在美國加州中區地方法院進行中的專利訴訟,已於2018年8月22日達成和解。依據和解條件, V-TAC同意即日起不再銷售侵權產品。其他和解細節不公開。

美國時間2018年5月7日,晶電在美國加利福尼亞中區聯邦地方法院對V-TAC提出專利侵權訴訟。晶電在訴狀中指出V-TAC產品侵犯七件晶電專利,並申請法院核髮禁制令以禁止V-TAC繼續銷售侵權之產品。


 



 
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